网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：
题目内容
（请给出正确答案）
GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件，为什么GTO可以控制其关断，而SCR不行？
参考答案
更多 “GTO与SCR一样都是PNPN四层三端电流控制型器件，为什么GTO可以控制其关断，而SCR不行？” 相关考题
考题
SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。
A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
考题
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
考题
在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
考题
填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有（），全控型器件有（），电流驱动器件有（）。
考题
问答题GTO与GTR同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？
热门标签
最新试卷