考题
静态随机存储器可以用双极型器件构成，也可以由MOS型器件构成。双极型器件与MOS型器件相比，下面哪一项不是它的特点( )A．工艺较简单B．集成度较低C．存取速度低D．功耗比较大
考题
以下元器件哪些是湿敏元器件？（）A、BGAB、排容C、电阻D、MOS管E、PCB
考题
一号线地铁列车逆变器的IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电流型驱动器件。
考题
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
考题
什么是光电效应和光电器件？常用的光电器件有哪几大类？
考题
什么是外光电效应？内光电效应？（光生伏特效应、光电导效应）。光电器件中的光照特性、光谱特性分别描述的是光电器件的什么性能？
考题
常用的电力电子器件有：（）。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管
考题
IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件，它兼有MOS和晶体管二者的优点，属于电压型驱动器件。
考题
问答题半导体光电器件是利用什么效应制作的器件？
考题
问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
考题
问答题在MOS及双极型器件中，多晶硅可用来做什么？
考题
问答题小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？
考题
问答题如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
考题
问答题什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?
考题
判断题IGBT是一种由单极性的MOS和双极晶体管复合而成的器件。它兼有MOS和晶体管二者的优点，属电流型驱动器件。A
对B
错
考题
问答题为什么说MOS晶体管是一种电压控制器件？
考题
判断题用来制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，这是因为（100）面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A
对B
错
考题
问答题用MOS管作有源电阻，器件工作在什么状态？
考题
问答题如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？
考题
填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
考题
问答题MOS器件按比例缩小后对器件特性有什么影响？
考题
问答题试述 “鸟嘴”效应是如何产生的？它对MOS器件有什么影响？