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问答题
P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同？
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考题
以下说法哪个是错误的（）A、与CCD摄像机相比，CMOS摄像机功耗更低；B、与CCD摄像机相比，CMOS摄像机成像速度更快；C、与CCD摄像机相比，CMOS摄像机的灵敏度更高；D、与CCD摄像机相比，CMOS摄像机更具成本优势；
考题
多选题目前氢气系统优化主要有夹点法和数学规划法，在数学建模法中，氢气系统优化匹配要遵循（）。A优先考虑不同类型装置间氢源与氢阱的匹配B优先考虑自身系统的循环氢与氢阱的匹配，避免杂质对加氢的影响C优先考虑同一区域内氢源与氢阱的匹配，尽量减少管路连接费用D最后考虑不同类型装置间氢源与氢阱的匹配E优先考虑不同系统间循环氢与氢阱的匹配，避免杂质对加氢的影响
考题
填空题CMOS工艺中，阱注入的计量为（）量级；源、漏注入的剂量为（）量级；开启调整的注入剂量为（）量级 ；场注入的的剂量为（）量级；离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为（）量级。
考题
单选题以下说法哪个是错误的（）A
与CCD摄像机相比，CMOS摄像机功耗更低；B
与CCD摄像机相比，CMOS摄像机成像速度更快；C
与CCD摄像机相比，CMOS摄像机的灵敏度更高；D
与CCD摄像机相比，CMOS摄像机更具成本优势；
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