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问答题
简述CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺
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考题
填空题CMOS工艺中,阱注入的计量为()量级;源、漏注入的剂量为()量级;开启调整的注入剂量为()量级 ;场注入的的剂量为()量级;离子束合成SOI材料SIMOX的O+注入计量为()量级。
考题
问答题简述在先进的CMOS工艺中,离子注入的应用。
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