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某化合物用一个具有固定狭缝位置和恒定加速电压V的质谱分析仪进行分析时，当磁场强度H慢慢增加时，首先通过狭缝的是（）。
- A、质荷比最高的正离子
- B、质荷比最低的正离子
- C、质量最大的正离子
- D、质量最小的正离子
参考答案
更多 “某化合物用一个具有固定狭缝位置和恒定加速电压V的质谱分析仪进行分析时，当磁场强度H慢慢增加时，首先通过狭缝的是（）。A、质荷比最高的正离子B、质荷比最低的正离子C、质量最大的正离子D、质量最小的正离子” 相关考题
考题
某化合物在一个具有固定狭峰位置和恒定磁场强度B的质谱仪中分析，当加速电压V慢慢地增加时，则首先通过狭峰的是：（）A、质量最小的正离子B、质量最大的负离子C、质荷比最低的正离子D、质荷比最高的正离子
考题
热缺陷亦称为本征缺陷，是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点（原子或离子）。当离子晶体生成肖特基缺陷（Schottkydefect）时，（）。A、正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的缩小B、正离子空位和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加C、正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加D、正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的，同时伴随晶体体积的增加
考题
单选题将下列化合物按碳正离子稳定性排序（ ）。a．对甲氧基苯甲基正离子b．苯甲基正离子c．对硝基苯甲基正离子d．对甲基苯甲基正离子A
d＞a＞c＞bB
a＞d＞c＞bC
a＞d＞b＞cD
d＞a＞b＞c
考题
问答题从负离子的立方密堆积出发， （1）正离子填满所有四面体位置； （2）正离子填满一半四面体位置，如T+位置； （3）正离子填满所有的八面体位置； （4）正离子填满八面体位置的交替层。说明四种情况的结构类型。
考题
判断题质谱图中质荷比最大的峰不一定是分子离子峰但分子离子峰一定是质谱图中质荷比最大的峰。A
对B
错
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