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场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。

  • A、N沟道和P沟道
  • B、H沟道和P沟道
  • C、N沟道和H沟道
  • D、Y沟道和H沟道

参考答案

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考题 绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
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考题 场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
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考题 下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
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考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
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考题 结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
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考题 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
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考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
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考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
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考题 场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
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考题 场效应管按性能分为耗尽型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
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考题 场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
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考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
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考题 结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
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考题 场效应管按结构分为结型和（）两种类型。
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考题 绝缘栅型场效应管又分为（）和（），两者区别（）。
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考题 结型场效应管的栅、源极之间应加（）电压。
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考题 绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
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考题 更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
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考题 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。
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考题 根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
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考题 在绝缘栅型场效应管中，漏极电流是受栅压控制的，它是利用（）A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的
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考题 FET有结型和绝缘栅型。
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 判断题场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。A 对B 错
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考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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考题 填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
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考题 单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类，它们的类型和简称是（）A 结型场效应晶体管，简称JFETB 绝缘栅型场效应晶体管，简称JFETC 结型场效应晶体管JGFETD 绝缘栅型场效应晶体管JGFET
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