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场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。

  • A、N沟道和P沟道
  • B、H沟道和P沟道
  • C、N沟道和H沟道
  • D、Y沟道和H沟道

参考答案

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考题 绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。() 此题为判断题(对,错)。

考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

考题 场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道

考题 下列关于场效应管的说法中,错误的是: A、场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOSFET)B、场效应管工作于放大状态时,结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说,场效应管的输入电阻都比较高,结型高达107Ω,绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说,场效应管的放大能力大都比较弱

考题 N沟道增强型绝缘栅场效应管,栅源电压VGS是指()A、正极性B、负极性C、零D、不能确定

考题 结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。

考题 绝缘栅场效应管也有两种结构形式,它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道,它们又分为增强型和耗尽型两种

考题 场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

考题 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。

考题 场效应管按结构分为结型和()。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型

考题 场效应管按性能分为耗尽型和()。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型

考题 场效应管按其结构不同常见的两种类型:()和绝缘栅场效应管。

考题 IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

考题 结型场效应管用作放大时,其栅源极之间应加()电压。

考题 场效应管按结构分为结型和()两种类型。

考题 绝缘栅型场效应管又分为()和(),两者区别()。

考题 结型场效应管的栅、源极之间应加()电压。

考题 绝缘栅型场效应管通常称为()、存放时应将三个电极()。

考题 更具结构不同,场效应管分为()A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管

考题 绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。

考题 根据结构的不同,场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。

考题 在绝缘栅型场效应管中,漏极电流是受栅压控制的,它是利用()A、体内场效应而工作的B、表面场效应而工作的C、载流子导电而工作的

考题 FET有结型和绝缘栅型。

考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为()A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管

考题 判断题场效应晶体管根据结构不同,可分为两大类:结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。A 对B 错

考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为()A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管

考题 填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型:()和绝缘栅场效应管。

考题 单选题场效应晶体管根据结构不同分为两大类,它们的类型和简称是()A 结型场效应晶体管,简称JFETB 绝缘栅型场效应晶体管,简称JFETC 结型场效应晶体管JGFETD 绝缘栅型场效应晶体管JGFET