考题
晶体三极管的输入特性曲线呈线性。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特征及反击穿特性。()
此题为判断题(对，错)。
考题
晶体三极管可以作为开关使用，当三极管集电极-发射极间相当于开关断开或闭合时，则晶体三极管应工作在（）状态或（）状态。
考题
晶体三极管具有以小变化集电极电流控制大变化基极电流的性能称为三极管的电流放大特性
考题
晶体三极管的输出特性是指基数电流为常数时（）与Uc之间的关系。
考题
晶体三极管输出特性曲线放大区中，平行线间隔可直接反映出晶体三极管（）的大小。A、基极电流B、集电极电流C、电流放大倍数D、电压放大倍数
考题
由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。A、1B、2C、3
考题
温度升高、晶体三极管的输人特性曲线向右偏移。（）
考题
晶体三极管的输出特性是指（）为常数时Ic与uc之间的关系。
考题
晶体三极管输出特性曲线放大区中，平行线的间隔可直接反映出晶体三极管（）的大小。A、基极电流B、集电极电流C、电流放大倍数D、电压放大倍数
考题
晶体二极管的（）特性可简单理解为正向导通，反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
考题
晶体二极管的伏安特性可简单理解为（），（）。硅晶体三极管发射结的导通电压约为（），锗晶体三极管发射结的导通电压约为（）。
考题
晶体三极管的关系式iE=f（uEB）|uCB代表三极管的（）。 A、共射极输入特性B、共射极输出特性C、共基极输入特性
考题
由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。A、1B、2C、3D、4
考题
晶体三极管在一定的集电极电压作用下，加在基极与发射极之间的电压与基极电流之间的关系称晶体三极管的（）。A、静态特性B、动态特性C、输出特性D、输入特性
考题
晶体三极管的特性可分为（）特性和（）特性及反向击穿特性。
考题
晶体三极管的特性可分为正向特性、反向特性及反击穿特性。
考题
晶体三极管的（）是指三极管在输入电流为某一常数时，输出端的电流与电压之间的关系。A、传输特性B、输入特性C、输出特性D、正向特性
考题
晶体管特性图示仪不能测量晶体三极管的（）。A、输入特性B、反向电流C、击穿电压D、频率特性
考题
判断题晶体三极管具有电压放大特性和开关特性。A
对B
错
考题
单选题由晶体三极管的输出特性曲线可知，晶体三极管有（）个工作区域。A
1B
2C
3
考题
单选题晶体三极管具有（）放大的特性。A
电压B
电阻C
电流D
电功