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TTL集成电路和COMS集成门电路的功耗差不多。


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考题 把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()A、双极性集成电路B、TTL集成电路C、CMOS集成电路D、单极性集成电路

考题 集成电路74LS系列表示()。A、高速肖特基TTL电路B、低功耗肖特基TTL电路C、低速肖特基TTL电路D、高低功耗肖特基TTL电路

考题 TTL集成逻辑门电路的输入端和输出端都是采用()结构。

考题 按制造工艺集成电路分为()。A、半导体集成电路B、TTL集成电路C、厚膜集成电路D、薄膜集成电路E、CMOS集成电路

考题 下列说法错误的是()A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

考题 COMS集成电路与TTL集成电路相比较,有哪些优缺点?

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。

考题 目前双极型集成电路和单极型集成电路的典型电路分别是TTL电路和()电路。A、CMOSB、CPUC、AMPD、AFC

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考题 TTL集成电路和CMOS集成电路对输入端的空脚处理是()。A、CMOS允许悬空B、TTL不允许悬空C、TTL允许悬空D、CMOS不允许悬空

考题 COMS集成电路与TTL集成电路相比较的特点()。A、静态功耗低,电源电压范围宽B、输入阻抗高,扇出能力强C、抗干扰能力强,逻辑摆幅大D、温度稳定性好E、工作速度低于TTL电路,功耗随频率的升高显著增大

考题 CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()A、微功耗B、高速度C、高抗干扰能力D、电源范围宽

考题 单极性集成电路包括()A、TTL集成电路B、PMOS集成电路C、NMOS集成电路D、CMOS集成电路

考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

考题 下列说法错误的是()。 A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低

考题 下列电路属于单极型器件集成的应是().A、TTL集成电路B、HTL集成电路C、MOS集成电路

考题 与TTL集成电路相比,CMOS集成电路()。A、功耗更大B、材料不同C、工艺相同D、以上都不正确

考题 按照电路的不同结构,门电路可以分为()与()。A、分立元件门电路,TTL门电路B、集成门电路和双极型电路C、分立元件门电路,集成门电路D、TTL门电路,集成门电路

考题 TTL集成逻辑门电路的内部大多是由()级、()级和()级

考题 CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL门电路高。

考题 单选题集成电路74LS系列表示()。A 高速肖特基TTL电路B 低功耗肖特基TTL电路C 低速肖特基TTL电路D 高低功耗肖特基TTL电路

考题 多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

考题 单选题关于逻辑门电路下列说法正确的是(  )。A 双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高D TTL逻辑门电路和CMOS集成门电路不能混合使用

考题 多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是()。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽

考题 填空题半导体集成电路主要的衬底材料有单元晶体材料()、()和化合物晶体材料()、();硅COMS集成电路衬底单晶的晶向常选();TTL集成电路衬底材料的晶向常选();常用的硅集成电路介电薄膜是()、();常用的IC互连线金属材料是()、()。