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对于集成电路型、微机型保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法是（）。
- A、交流电源来线必须经抗干扰处理，直流电源来线可不经抗干扰处理
- B、直流电源来线必须经抗干扰处理，交流电源来线可不经抗干扰处理
- C、交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理
- D、直流电源来线可不经抗干扰处理
参考答案
更多 “对于集成电路型、微机型保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法是（）。A、交流电源来线必须经抗干扰处理，直流电源来线可不经抗干扰处理B、直流电源来线必须经抗干扰处理，交流电源来线可不经抗干扰处理C、交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理D、直流电源来线可不经抗干扰处理” 相关考题
考题
对于集成电路型保护及微机型保护而言,下列说法正确的是()。
A.弱信号线不得和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近B.因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近C.在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰(如中间继电器线圈回路)的导线相邻近
考题
对于集成电流型、微机型保护,为增强其抗干扰能力应采取的方式是()。
A.交流电源线必须经过抗干扰处理，直流电源线可以不用B.直流电源线必须经过抗干扰处理，交流电源线可以不用C.交、直流电源线均必须经过抗干扰处理D.交、直流电源线均可不需要经过抗干扰处理
考题
我国继电保护技术发展先后经历了五个阶段,其发展顺序依次是()。A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型;B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型;C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型。
考题
Je2A3304 对于微机型保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法（ ）(A)交流电源来线必须经抗干扰处理，直流电源来线可不经抗干扰处理;(B)直流电源来线必须经抗干扰处理，交流电源来线可不经抗干扰处理(c)交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理;(D)交流及直流电源来线均可不经抗干扰处理;
考题
我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是（ ）A.机电型、晶体管型、整流型、集成电路型、微机型
B.机电型、整流型、集成电路型、晶体管型、微机型
C.机电型、整流型、晶体管型、集成电路型、微机型
考题
对于集成电路型、微机型保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法是（）A、交流电源来线必须经抗干扰处理，直流电源来线可不经抗干扰处理B、直流电源来线必须经抗干绕处理，交流电源来线可不经抗干扰处理C、交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理
考题
对于集成电路型保护及微机型保护而言，（）。A、弱信号线不得和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近B、因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近D、以上均不正确
考题
继电保护按发展阶段分类有（）A、电磁式、晶体管式、集成电路型、微机型、现代化网络型B、电磁式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型C、磁电式、集成电路型、晶体管式、微机型、现代化网络型D、电磁式、磁电式、晶体管式、集成电路型、微机型
考题
对于集成电路型、微机型保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法是：（）必须经抗干扰处理。A、交流电流、交流电压回路B、直流电源入口处C、交流电流、交流电压回路和直流电源入口处D、交流电流、交流电压回路和直流电源出口处
考题
对于微机保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法是：（）必须经抗干扰处理。A、交流电流、交流电压回路B、直流电源入口处C、电流、交流电压回路和直流电源入口处D、电流、交流电压回路和直流电源出口处
考题
对于集成电路型、微机保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法是：（）必须经抗干扰处理。A、交流电流、交流电压回路B、直流电源入口处C、电流、交流电压回路和直流电源入口处D、电流、交流电压回路和直流电源出口处
考题
对于集成电路型保护及微机型保护而言：A、弱信号线不得和强干扰（如中间继电器线圈回路）的导线相邻近B、因保护中已采取了抗干扰措施，弱信号线可以和强干扰的导线相邻近C、在弱信号线回路并接抗干扰电容后，弱信号线可以和强干扰的导线相邻近
考题
对于微机型保护，为增强其抗干扰能力应采取的方法是（）。A、交流电源来线必须经抗干扰处理，直流电源来线可不经抗干扰处理B、直流电源来线必须经抗干扰处理，交流电源来线可不经抗干扰处理C、交流及直流电源来线均必须经抗干扰处理D、交流及直流电源来线均可不经抗干扰处理
考题
保护装置本体抗干扰要求正确的有（）。A、保护装置的箱体，必须经试验确证可靠接地B、所有隔离变压器（电压、电流、直流逆变电源、导引线保护等）的一二次线圈间必须有良好的屏蔽层，屏蔽层应在保护屏可靠接地C、外部引入至集成电路型或微机型保护装置的空接点，进入保护后应经光电隔离D、半导体型、集成电路型、微机型保护装置只能以空接点或光耦输出
考题
我国继电保护技术发展过了五个阶段，其发展顺序是（）A、机电型；晶体管型；整流型；集成电路型；微机型B、机电型；整流型；集成电路型；晶体管型；微机型C、机电型；整流型；晶体管型；集成电路型；微机型
考题
多选题CMOS数字集成电路与TTL数字集成电路相比突出的优点是（）。A微功耗B高速度C高抗干扰能力D电源范围宽
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