考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
考题
二极管导通后锗管的导通电压一般取为（）V。A.0.2
B.0.4
C.0.5
D.0.7
考题
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
考题
锗二极管正向电压超过0.2伏左右，硅管超过0.5伏左右，正向电流很快上升。
考题
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
考题
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
考题
锗二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V
考题
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
考题
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
考题
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
硅二极管的开启电压为0.5V左右，锗二极管为0.1V左右。
考题
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才能导通C、超过0.7伏才导通D、超过0.3伏才导通
考题
如果改变晶体管基极电压的极性，使发射结由正偏导通改为反偏，则集电极电流（）A、反向B、近似等于零C、不变D、增大
考题
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
考题
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压Vth约为（）伏。
考题
三极管有饱和导通与截止状态，只要（）就能达到导通状态。A、发射极电压B、控制基极电流C、截止时集电极反偏D、发射结正偏E、集电结正偏
考题
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A
1VB
0.7VC
0.3VD
0.5V
考题
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
考题
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。