网友您好， 请在下方输入框内输入要搜索的题目：

题目内容 （请给出正确答案）

为增强沟道的排水速度和排水量，所以生态沟道应尽量取消原河道的蜿蜒性。

参考答案

更多 “为增强沟道的排水速度和排水量，所以生态沟道应尽量取消原河道的蜿蜒性。” 相关考题
考题 在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
查看答案
考题 按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
查看答案
考题 场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。 A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
查看答案
考题 功率场效应晶体管一般为()。 A.P沟道耗尽型B.P沟道增强型C.N沟道耗尽型D.N沟道增强型
查看答案
考题 功率场效应晶体管一般为()。A、N沟道耗尽型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、P沟道增强型
查看答案
考题 结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
查看答案
考题 平均排除法适用于（）A.丘陵地区的排水沟道B.山区的排水沟道C.平原地区的得排水沟道D.高原区的排水沟道
查看答案
考题 骨干排水系统各级排水沟道应尽量布置在各自控制范围内的较高处，实现顺畅的自流排水。（）此题为判断题(对，错)。
查看答案
考题 排水沟道纵断面设计时，一般要求上级沟道的沟底不低于下级沟道沟底。
查看答案
考题 排水沟道系统的构成？
查看答案
考题 绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种
查看答案
考题 排水沟道系统的分级一般分为（）、（）、（）、（）四级固定沟道。
查看答案
考题 平均排除法适用于（）A、丘陵地区的排水沟道B、山区的排水沟道C、平原地区的得排水沟道D、高原区的排水沟道
查看答案
考题 什么是排水沟道的糙率？
查看答案
考题 什么是排水沟道的边坡系数？
查看答案
考题 单极型晶体管又称为（）管，其导电沟道有（）沟道和（）沟道。
查看答案
考题 结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
查看答案
考题 场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
查看答案
考题 某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
查看答案
考题 当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
查看答案
考题 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
查看答案
考题 CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
查看答案
考题 地下管线（沟道）布置（）是正确的。A、满足工艺要求，流程短捷，便于施工和检修B、在满足工艺和使用要求的前提下应尽量深埋C、尽量与站区竖向坡度和坡向一致，避免倒坡D、沟道应有排水及防小动物的措施
查看答案
考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
查看答案
考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
查看答案
考题 填空题排水沟道系统的分级一般分为（）、（）、（）、（）四级固定沟道。
查看答案
考题 多选题按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道
查看答案
热门标签
最新试卷