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当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
参考答案
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考题
电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
考题
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
考题
单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A
P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
考题
单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A
P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B
P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C
N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D
N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
考题
单选题N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A
正极性B
负极性C
零D
不能确定
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