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斜探头向工件中辐射的横波，是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。（）

参考答案

更多 “斜探头向工件中辐射的横波，是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。（）” 相关考题
考题 斜探头向工件中辐射的横波,是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 下面关于横波斜探头的说法哪一条是错误的？（）A、横波斜探头是由直探头和透声斜楔组成的B、斜楔前面开槽的目的是减少反射杂波C、斜楔中的纵波声速应大于工件中的纵波声速D、横波是在斜楔与工件交界面产生的
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考题 横波斜探头直接接触法探测钢板焊缝时，其横波在（）产生。A、有机玻璃楔块中B、从晶片中C、有机玻璃与耦合界面上D、耦合层与钢板界面上
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考题 为了在工件中得到纯横波，对于斜探头的选择除了入射角以外还应考虑（）A、斜楔材料的纵波声速小于工件中的横波声速B、斜楔材料的纵波声速大于工件中的横波声速C、斜楔材料的纵波声速大于工件中的纵波声速D、以上都可以
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考题 纵波斜探头法的优点是工件中既有纵波，又有横波，因此可同时用纵波和横波进行缺陷检测。
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考题 为了在工件中得到纯横波，对于斜探头的选择应考虑（）A、合适的入射角B、合适的斜楔材料的纵波声速C、合适的斜楔材料的横波声速D、a和c
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考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
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考题 直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。
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考题 为了在工件中得到纯横波，不但要选择合适的（），而且要给斜探头选择合适的斜楔材料，应满足斜楔材料的纵波声速（）于工件中的横波声速
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考题 为了在工件中得到纯横波，对于斜探头的选择除了合适的入射角以外还应考虑斜楔材料的纵波声速（）工件中的横波声速。
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考题 超声波探头中的压电晶片有压电效应，当高频电脉冲激励压电晶片时，发生逆压电效应，将（），探头发射超声波。
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考题 通常使用的横波探头发出的横波是由晶片直接激发出来的。
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考题 计算题：已知PZT-5锆酞酸铅的频率常数为Nt=2，用PZT-5锆酞酸铅材料制作的探头晶片振动频率为2.5MHz，求晶片的厚度。
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考题 为使工件中只有单一的横波，斜探头入射角应选择在（）和（）之间。
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考题 探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？
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考题 斜探头横波探测法在工件表面的扫查有哪些方法？
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考题 单选题横波斜探头直接接触法探测钢板焊缝时，其横波在（）产生。A 有机玻璃楔块中B 从晶片中C 有机玻璃与耦合界面上D 耦合层与钢板界面上
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考题 问答题计算题：已知PZT-5锆酞酸铅的频率常数为Nt=2，用PZT-5锆酞酸铅材料制作的探头晶片振动频率为2.5MHz，求晶片的厚度。
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考题 判断题纵波斜探头法的优点是工件中既有纵波，又有横波，因此可同时用纵波和横波进行缺陷检测。A 对B 错
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考题 单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A  增大B  不变C  减小D  都有可能
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考题 判断题直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。A 对B 错
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考题 判断题斜探头向工件中辐射的横波，是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。A 对B 错
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考题 问答题探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？
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考题 单选题为了在工件中得到纯横波，对于斜探头的选择除了入射角以外还应考虑（）A 斜楔材料的纵波声速小于工件中的横波声速B 斜楔材料的纵波声速大于工件中的横波声速C 斜楔材料的纵波声速大于工件中的纵波声速D 以上都可以
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考题 填空题为使工件中只有单一的横波，斜探头入射角应选择在（）和（）之间。
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考题 单选题下面关于横波斜探头的说法哪一条是错误的？（）A 横波斜探头是由直探头和透声斜楔组成的B 斜楔前面开槽的目的是减少反射杂波C 斜楔中的纵波声速应大于工件中的纵波声速D 横波是在斜楔与工件交界面产生的
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考题 填空题为了在工件中得到纯横波，不但要选择合适的（），而且要给斜探头选择合适的斜楔材料，应满足斜楔材料的纵波声速（）于工件中的横波声速
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