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通常使用的横波探头发出的横波是由晶片直接激发出来的。

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考题 斜探头向工件中辐射的横波,是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 下面关于横波斜探头的说法哪一条是错误的？（）A、横波斜探头是由直探头和透声斜楔组成的B、斜楔前面开槽的目的是减少反射杂波C、斜楔中的纵波声速应大于工件中的纵波声速D、横波是在斜楔与工件交界面产生的
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考题 薄壁管内的纯横波是利用（）得到的。A、探头直接发出横波B、管壁内纵波反射C、表面波转换D、水中纵波转换
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考题 元件包壳管的横波是探头直接发出的。
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考题 检查板材中分层缺陷，不推荐使用哪种技术（）A、单晶片直射纵波B、双晶片斜射纵波C、斜入射横波D、双探头透射法
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考题 横波斜探头直接接触法探测钢板焊缝时，其横波在（）产生。A、有机玻璃楔块中B、从晶片中C、有机玻璃与耦合界面上D、耦合层与钢板界面上
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考题 横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
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考题 下面有关薄壁管的横波检测描述，哪个是正确的（）A、薄壁管的检测是以周向横波检测为主B、调整灵敏度的试块应采用内、外壁均有人工刻槽的相同管材C、由于曲面会引起折射角的扩散，应使用小晶片探头D、以上都对
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考题 斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
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考题 直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。
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考题 斜探头向工件中辐射的横波，是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。（）
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考题 横波斜探头β≤45°时，横波斜探头折射角误差△β≤1.5°。
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考题 钢轨探伤中，70°探头在钢中传播的是横波，在探头楔块中的声波波形是（）A、表面波B、横波C、纵波D、横波和纵波
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考题 斜探头横波探伤时，缺陷声程W已知，则它的水平距离可用（）计算。斜探头横波探伤时，缺陷声程已知，则它的垂直距离由公式（）计算。
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考题 超声波探头有横波剪切波和纵波压缩波之分，因此可用横波探头测量水中的横波。
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考题 探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？
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考题 单选题横波斜探头直接接触法探测钢板焊缝时，其横波在（）产生。A 有机玻璃楔块中B 从晶片中C 有机玻璃与耦合界面上D 耦合层与钢板界面上
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考题 单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A  增大B  不变C  减小D  都有可能
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考题 判断题直探头的压电晶片发射纵波，斜探头的压电晶片发射横波、表面波或板波。A 对B 错
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考题 判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A 对B 错
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考题 单选题检查板材中分层缺陷，不推荐使用哪种技术（）A 单晶片直射纵波B 双晶片斜射纵波C 斜入射横波D 双探头透射法
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考题 判断题元件包壳管的横波是探头直接发出的。A 对B 错
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考题 判断题斜探头向工件中辐射的横波，是基于压电效应由PZT晶片直接激发出来的。A 对B 错
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考题 问答题探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？
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考题 单选题钢轨探伤中，70°探头在钢中传播的是横波，在探头楔块中的声波波形是（）A 表面波B 横波C 纵波D 横波和纵波
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考题 单选题下面有关薄壁管的横波检测描述，哪个是正确的（）A 薄壁管的检测是以周向横波检测为主B 调整灵敏度的试块应采用内、外壁均有人工刻槽的相同管材C 由于曲面会引起折射角的扩散，应使用小晶片探头D 以上都对
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考题 单选题薄壁管内的纯横波是利用（）得到的。A 探头直接发出横波B 管壁内纵波反射C 表面波转换D 水中纵波转换
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