考题
超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片
考题
探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D://晶片直径，A：晶片半径）。
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
考题
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比，与波长成反比。
考题
当晶片直径D远大于波长时，近场长度N=（）。
考题
波长越短，近场长度越短，晶片直径越大，近场长度也越长。
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片
考题
探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。A、N=1.22λ/DB、N=D/4λC、N=D2/4λD、N=2/D
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
考题
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
在超声波探伤中，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径（）的探头。
考题
探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
考题
单选题探头的近场长度由下式决定（式中λ波长，f频率，D晶片直径）（）。A
N=1.22λ/DB
N=D/4λC
N=D2/4λD
N=2/D
考题
判断题斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。A
对B
错
考题
填空题在超声波探伤中，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径（）的探头。
考题
单选题超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A
低频率B
较小晶片C
低频率和较小晶片D
较大晶片
考题
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A
K值增大时，近场区长度不变B
K值增大时，近场区长度增大C
K值增大时，近场区长度减小D
K值与近场区长度无关
考题
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
判断题同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A
对B
错
考题
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A
增加B
减小C
不变
考题
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A
对B
错