考题
横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A、K值增大时，近场区长度不变B、K值增大时，近场区长度增大C、K值增大时，近场区长度减小D、K值与近场区长度无关
考题
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。A、 声束的指向性B、 近场区长度C、 远距离缺陷检出能力D、 以上都是
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
探头的选择包括探头的型式、频率、晶片尺寸、灵敏度余量和斜探头K值等。
考题
斜探头横波声场近场区分布在（）介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而增大D、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小B、随频率或晶片尺寸减小而增大C、随频率或晶片尺寸减小而减小D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
考题
探头的选择包括探头的型式、频率 、晶片尺寸和斜探头K值等
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，近场长度随入射角的增大而（）。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
考题
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？
考题
探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数，它是随（）。A、频率增加、晶片直径减小而减小B、频率或直径减小而增大C、频率或直径减小而减小D、频率增加、晶片直径减小而增大
考题
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
单选题横波探头晶片尺寸一定时，K值与近场区长度的关系为（）A
K值增大时，近场区长度不变B
K值增大时，近场区长度增大C
K值增大时，近场区长度减小D
K值与近场区长度无关
考题
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A
对B
错
考题
单选题探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随（）。A
频率增加、晶片直径减小而减小B
频率或直径减小而增大C
频率或直径减小而增大D
频率增加、晶片直径减小而增大
考题
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
问答题探头晶片尺寸选择应考虑哪些因素？横波斜探头Ｋ值如何选择？
考题
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A
增加B
减小C
不变
考题
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A
对B
错