考题
探头型号第二位表示()
A、基本频率B、晶片材料C、晶片尺寸D、探头种类E、探头特征
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
考题
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
考题
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。 A、 增大B、 不变C、 减小D、 都有可能
考题
超声波探头的半扩散角近似与晶片直径成正比，与波长成反比。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的（）。它随频率的增加、晶片直径的减小而（）。
考题
超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比，与波长成反比。
考题
探头指向角是晶片尺寸和介质中波长的函数。它随频率增加、晶片直径减小而增大。
考题
探头晶片面积相同，高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A、增加B、减小C、不变
考题
说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
考题
判断题探头晶片面积相同，高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。A
对B
错
考题
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
判断题探头晶片尺寸增加，半扩散角减少，波束指向性变好，超声波能量集中。A
对B
错
考题
判断题探头的选择包括探头的型式、频率、晶片尺寸、灵敏度余量和斜探头K值等。A
对B
错
考题
单选题斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。A
增大B
不变C
减小D
都有可能
考题
判断题斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。A
对B
错
考题
判断题横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。A
对B
错
考题
问答题说明指向角和近场区长度的关系，在实际探伤中如何选择探头频率和晶片的尺寸？
考题
判断题探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。A
对B
错
考题
判断题同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A
对B
错
考题
单选题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面探伤不利。A
增加B
减小C
不变
考题
判断题0°探头近场区与探头外部尺寸成正比关系。A
对B
错