考题
超声波探伤,为减少近场长度应选用()的探头。A.低频率B.较小晶片C.低频率和较小晶片D.较大晶片
考题
探头的近场长度求解公式是（）。（λ：波长；ｆ：频率；D://晶片直径，A：晶片半径）。
考题
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
考题
同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。
考题
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
考题
超声波探头的近场长度近似与晶片直径成正比，与波长成反比。
考题
晶片较小的探头远场覆盖面积（）。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对
考题
探头晶片尺寸大时，近场的覆盖范围也大，晶片小时，近场的覆盖范围也小。但在远场处由于指向性的关系，大尺寸晶片的覆盖范围有可能小于尺寸晶片。
考题
探头的近场长度由式N=a2/λ决定。（式中λ波长，a晶片半径）。
考题
晶片较大的探头近场覆盖面积（）。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对
考题
晶片较大的探头远场覆盖面积（）。A、较小B、较大C、与之无关D、以上说法均不对
考题
探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
斜探头近场区长度是按晶片在投影后的有效面积计算。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A、低频率B、较小晶片C、低频率和较小晶片D、较大晶片
考题
芯片较大的探头近场覆盖面积（）远场覆盖面积（）。
考题
晶片尺寸较小的探头发射的超声波束，其远场覆盖面积（）。
考题
探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
考题
超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。
考题
较小的探头晶片尺寸发射的超声波束，其远场覆盖面积（）。A、较大B、较小C、不变D、较窄
考题
判断题同类型探头，面积相同，频率相同的圆晶片和方晶片的近场长度相同。A
对B
错
考题
判断题超声波探伤，为减少近场长度应选用低频率或晶片直径较小的探头。A
对B
错
考题
单选题较小的探头晶片尺寸发射的超声波束，其远场覆盖面积（）。A
较大B
较小C
不变D
较窄
考题
填空题芯片较大的探头近场覆盖面积（）远场覆盖面积（）。
考题
填空题晶片尺寸较小的探头发射的超声波束，其远场覆盖面积（）。
考题
填空题探头晶片尺寸（），近场区长度增加，对近表面的缺陷探测不利。
考题
单选题超声波探伤，为减少近场长度应选用（）的探头.A
低频率B
较小晶片C
低频率和较小晶片D
较大晶片
考题
判断题同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。A
对B
错