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本征离子电导的导电离子（载流子）主要由什么缺陷提供？其载流子浓度：n＝Nexp（E/2kT）中E的物理意义是什么？

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考题 三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
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考题 本征半导体参与导电通常有()种载流子。
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考题 本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()
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考题 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
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考题 金属的载流子是阳离子（）
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考题 电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率 B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度 C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率 D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
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考题 离子固体的载流子只是正负离子（）
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考题 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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考题 当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
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考题 半导体中参与导电载流子是（）A、阳离子B、阴离子C、电子D、空穴
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考题 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（）价元素组成的。这种半导体的多数载流子为（），少数载流子为（）。不能移动的杂质离子带（）电。
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考题 N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
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考题 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
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考题 Electrical conductivity（）A、电导率B、载流子数C、载流子迁移率
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考题 本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
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考题 对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）
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考题 本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。
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考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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考题 晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
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考题 离子电导微观机构：载流子-离子的扩散。离子扩散机构有（）、（）、（）。
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考题 填空题（）电导具有霍尔效应，离子电导具有电解效应，从而可以通过这两种效应检查材料中载流子的（）。
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考题 填空题金属材料电导的载流子是（），而无机非金属材料电导的载流子可以是（）、（），或（）、（）。
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考题 问答题什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明。
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