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离子固体的载流子只是正负离子（）

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考题 蛋白质的等电点描述正确的是A.解离成正离子的趋势大于解离成负离子的趋势B.解离成正负离子的趋势相等C.解离成正离子的趋势小于解离成负离子的趋势D.与解离成正负离子的趋势无关E.以上都错
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考题 三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
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考题 电离是一种什么现象A、通电后物质分离为正负离子B、正负离子的移动C、正负离子获得电子或交出电子D、物质溶解于水时能够分解为正负离子E、两种物质产生化学反应后分解为正负离子
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考题 金属的载流子是阳离子（）
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考题 半导体中的载流子是电子和（）。A、电子B、空穴C、离子
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考题 头发本身所带的电荷为（）A、阳离子B、阴离子C、正负都有D、正负都没
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考题 离子半径越大，正负离子间的引力（）。A、越大B、越小C、不变D、无关
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考题 在离子晶体的晶格结点上交替排列着正负离子，离子之间以离子键结合。
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考题 N型杂质半导体中，多数载流子是（）A、正离子B、负离子C、空穴D、自由电子
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考题 NaCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为6，ZnS型离子化合物晶胞中正负离子配位数为（），CsCl型离子化合物晶胞中正负离子配位数为（）
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考题 金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子
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考题 半导体中参与导电载流子是（）A、阳离子B、阴离子C、电子D、空穴
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考题 半导体内的载流子是（）。A、正离子B、负离子C、自由电子D、自由电子与空穴
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考题 本征离子电导的导电离子（载流子）主要由什么缺陷提供？其载流子浓度：n＝Nexp（E/2kT）中E的物理意义是什么？
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考题 载流子—电荷的自由粒子；金属：（）；无机材料：离子（正负离子、空位）、电子（负电子、空穴）
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考题 在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A、正离子数B、负离子数C、质子D、原子
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考题 N型半导体中，多数载流子是（），P型半导体中，多数载流子是（）。A、正离子B、自由电子C、空穴D、负离子E、质子F、中子
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考题 下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
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考题 离子的扩散达到动平衡后（）。A、正离子停止扩散B、负离子停止扩散C、正负离子均停止扩散D、正负离子仍继续扩散
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考题 半导体中的载流子为（）。A、正离子B、负离子C、电子D、自由电子和空穴
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考题 P型半导体的多数载流子是（）。A、空穴B、自由电子C、正离子D、负离子
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考题 P型半导体中多数载流子是（）A、自由电子B、空穴C、负离子D、正离子
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考题 离子电导微观机构：载流子-离子的扩散。离子扩散机构有（）、（）、（）。
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考题 单选题半导体内的载流子是（）。A 正离子B 负离子C 自由电子D 自由电子与空穴
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考题 单选题N型杂质半导体中，多数载流子是（）A 正离子B 负离子C 空穴D 自由电子
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考题 单选题在P型半导体中多数载流子是（），在N型半导体中多数载流子是（）。A 空穴／自由电子B 自由电子／空穴C 空穴／共价键电子D 负离子／正离子
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考题 单选题在N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，多子（自由电子）的数量＝（）＋少子（空穴）的数量。A 正离子数B 负离子数C 质子D 原子
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