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一个8K×8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256×256形式，存取周期为0.1μs。试问采用集中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？

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考题 8086系统若用256K×1动态存储器芯片可构成有效存储系统的最小容量是( )。A．256K字节B．512K字节C．640K字节D．1M字节
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考题 外围电路用ECL电路，使用8K×4bit的sram存储器芯片构成256K×32bit的cache存储器。则需要(5)片存储芯片。A．32B．64C．128D．256
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考题 现有容量为256BX4的RAM，回答案：(1)该RAM应有多少条地址线？(2)该RAM含有多少个字？其字长是多少位？( )A.8，256，4 B.8，256，8 C.4，256，8 D.8，128
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考题 要用256 x 4的RAM扩展成4K X 8RAM，需选用此种256 X 4RAM的片数为： (A) 8 (B) 16 （C）32 （D）64
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考题 若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字（16位）的存储器时，需要该芯片数为（）。A、256片B、128片C、64片D、32片
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考题 NE20的主控板带有最大（）M内存（）MFlash芯片（）KNVRAM。A、512；32；256B、512；32；512C、256；32；256D、256；32；512
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考题 某存储器具有8根地址线和8根双向数据线，则该存储器的容量为（）A、8*3B、8K*8C、256*8D、256*256
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