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半导体高低频管以3MHZ为界限。


参考答案

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考题 在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。 A.地波传播B.天波传播C.视距传播D.自由空间传播

考题 半导体高低频管以3MHZ为界限。() 此题为判断题(对,错)。

考题 半导体功率管大小以1W为界限。() 此题为判断题(对,错)。

考题 三极管按材料不同可分为硅管和锗管,按频率高低不同可分为高频管和低频管。-般fa≤3 MHz的为低频管。()

考题 开关型稳压电源的半导体管工作在开关状态,管耗小、效率高。

考题 半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型,点接触型适用于()信号区工作,面接触型适用于()信号区工作。A、低频;低频B、低频;高频C、高频;低频D、高频;高频

考题 放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在。C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适

考题 变动成本定价法是指()A、以变动总成本最低为定价的界限B、以单位变动成本为最低定价界限C、以单位完全成本为最低定价界限D、以单位固定成本为最低定价界限

考题 某半导体型号标明为3AD50C,其含义表示()。A、锗材料PNP型管B、低频大功率管C、硅材料NPN型管D、A和B

考题 在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。A、地波传播B、天波传播C、视距传播D、自由空间传播

考题 在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。A、地波传播B、天波传播C、视距传播

考题 半导体器件型号中二极管以()开头。A、1

考题 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。 A.耦合电容和旁路电容的存在 B.半导体管极间电容和分布电容的存在。 C.半导体管的非线性特性 D.放大电路的静态工作点不合适

考题 低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适

考题 根据国产半导体器件命名方法可知,3DG6为()A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 目前常用的半导体光源有()。A、半导体发光二极管B、半导体发光晶体管C、半导体激光器D、半导体光电二极管

考题 下列哪些是半导体应变计的优点()。A、灵敏度高B、体积小、耗电省C、横向效应小D、机械滞后小,可测量静态应变、低频应变等

考题 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(),而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的存B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适

考题 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是半导体管极间电容和分布电容的存在,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是()。A、耦合电容和旁路电容的存在B、半导体管极间电容和分布电容的存在C、半导体管的非线性特性D、放大电路的静态工作点不合适

考题 根据国产半导体器件型号的命名方法可知,3DG6为()。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管

考题 导体、半导体和绝缘体三者之间没有绝对界限。()

考题 半导体功率管大小以1W为界限。

考题 多选题目前常用的半导体光源有()。A半导体发光二极管B半导体发光晶体管C半导体激光器D半导体光电二极管

考题 单选题在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。A 地波传播B 天波传播C 视距传播

考题 单选题半导体二极管按结构的不同可分为点接触型和面接触型,点接触型适用于()信号区工作,面接触型适用于()信号区工作。A 低频;低频B 低频;高频C 高频;低频D 高频;高频

考题 单选题在低频或中频(最大可达3MHz)时,无线电波能够沿着地球弯曲,这种现象叫做()。A 地波传播B 天波传播C 视距传播D 自由空间传播

考题 单选题某半导体型号标明为3AD50C,其含义表示()。A 锗材料PNP型管B 低频大功率管C 硅材料NPN型管D A和B