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名词解释题
EPSP和IPSP
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考题
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
考题
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
考题
单选题下列关于化学突触的叙述,错误的是()A
突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称IPSPB
突触后膜在某种神经递质作用下产生的局部去极化电位变化称EPSPC
细胞外Ca进入末梢轴浆内,触发突触囊泡的出胞D
突触前末梢在接受一短串高频刺激后可产生强直后增强现象E
突触后膜上电位改变的总趋势决定于同时产生的EPSP和IPSP的代数和
考题
多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大
考题
填空题IPSP称为(),是一种()电位。
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