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IPSP

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考题 EPSP是指突触后膜发生()化。IPSP是指突触后膜发生()化。
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考题 信息经突触传递后,在突触后膜是引起EPSP田,还是IPSP,取决于() A、信息的强弱B、递质和受体C、递质D、受体
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考题 AP经过突触,在突触后膜上产生的电位变化是() A、APB、阈电位C、发生器电位D、EPSPE、IPSP
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考题 IPSP的产生机制主要与下列哪种离子通道的通透性增高有关?A．Na+B．K+C．C1-D．Ca2+
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考题 形成快IPSP的离于基础主要是A．Na＋内流增多B．Na＋外流减少C．Ca2＋外流增多D．C2＋内流减少E．Cl-内流增多
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考题 下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化 B. Ca2+经突触前膜进入突触小体 C. 突触前膜释放抑制性递质 D. 突触后膜对Cl-通透性增强 E. Cl-内流产生IPSP
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考题 属于局部电位的是 A.发生器电位 B.感受器电位 C. IPSP D. EPSP
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考题 EPSP与IPSP的共同特征为 A.突触前膜都去极化 B.突触前膜都超极化 C.突触后膜都去极化 D.突触后膜都超极化
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考题 IPSP的产生主要由于突触后膜对下列哪种离子通透性增高所致A.Mg B.Ca C.Clˉ D.Na E.K
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考题 A. B. C. D.形成快IPSP的离子基础主要是( )
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考题 EPSP与IPSP共同的特征为( )A.突触前膜都去极化 B.突触前膜都超极化 C.突融后膜都去极化 D.突触后膜都超极化
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考题 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
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考题 突触后神经元活动取决于（）A、EPSP的总和B、IPSP的总和C、EPSP和IPSP的代数和D、以上都不是
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考题 关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
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考题 抑制性突触后电位（IPSP）
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考题 产生突触前抑制的机制是（）A、突触前膜阈电位水平抬高B、突触前末梢递质释放减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、由抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP
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考题 名词解释题IPSP
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考题 单选题突触后神经元活动取决于（）A EPSP的总和B IPSP的总和C EPSP和IPSP的代数和D 以上都不是
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考题 名词解释题抑制性突触后电位（IPSP）
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考题 填空题IPSP称为（），是一种（）电位。
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