考题
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
考题
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率
B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度
C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率
D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
考题
抛光片的电学参数包括电阻率，载流子浓度，迁移率，直径、厚度、主参考面等。（）
考题
抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径、（）、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等；（），电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量，晶向，位错密度。
考题
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
考题
一定时期的迁入人口与迁出人口之差与该时期平均人口之比是（）A、总迁移率B、迁移率C、净迁移率D、总和迁移率
考题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）A、漂移迁移率B、电导迁移率C、霍尔迁移率D、磁阻迁移率
考题
半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A、越高B、不确定C、越低D、不变
考题
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
考题
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
考题
载流子迁移率的量纲是（）A、m2/（v.s）B、m/sC、v/m
考题
Electrical conductivity（）A、电导率B、载流子数C、载流子迁移率
考题
金属的载流子迁移率大，所以经常用金属作为霍尔元件的材料。
考题
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
在一定波长范围的光照且光辐射能量足够大时，光敏电阻吸收了能量，内部释放出电子，使载流子密度或迁移率增加，从而导致电导率增加，电阻增大。
考题
光敏电阻吸收了光量子能量，使得载流子迁移率增加，导致电导率增加。
考题
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
考题
三极管的集电区的作用是（）。A、发射载流子B、输送和控制载流子C、收集载流子D、控制载流子
考题
判断题在一定波长范围的光照且光辐射能量足够大时，光敏电阻吸收了能量，内部释放出电子，使载流子密度或迁移率增加，从而导致电导率增加，电阻增大。A
对B
错
考题
单选题Electrical conductivity（）A
电导率B
载流子数C
载流子迁移率
考题
单选题下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量（）A
漂移迁移率B
电导迁移率C
霍尔迁移率D
磁阻迁移率
考题
单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关，同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）A
越高B
不确定C
越低D
不变
考题
填空题半导体材料的电阻率与（），以及载流子迁移率有关。
考题
单选题在太空的空间实验室里生长的GaAS具有很高的载流子迁移率，是因为这样的材料（）。A
无杂质污染B
受宇宙射线辐射C
化学配比合理D
晶体完整性好
考题
单选题在霍尔式压力传感器中，不影响霍尔系数大小的参数是（ ）。[2007年真题]A
霍尔片的厚度B
霍尔元件材料的电阻率C
材料的载流子迁移率D
霍尔元件所处的环境温度
考题
单选题MOSFET的温度特性体现为：（）。A
温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高B
温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降C
温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高D
温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降