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单选题
下列哪一个迁移率的测量方法适合于低阻材料少子迁移率测量()
A
漂移迁移率
B
电导迁移率
C
霍尔迁移率
D
磁阻迁移率
参考答案
参考解析
解析:
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考题
默多克(Murdock.D.D)的迁移率计算公式表述为( )。A.迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)?(实验组成绩 控制组成绩)?100B.迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)?控制组成绩?100C.迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)?实验组成绩?100D.迁移率(%)=(控制组成绩-实验组成绩)?(实验组成绩 控制组成绩)?100
考题
人口总迁移率是指迁移的总人数占人口总数的千分比。计算公式为( )。A.总迁移率=一定时期的迁入人口/该时期的平均人口×1000‰B.总迁移率=一定时期的迁出人口/该时期的平均人口×1000‰C.总迁移率=(一定时期的迁入人口+迁出人口)/该时期的平均人口×1000‰D.总迁移率=(一定时期的迁入人口+迁出人口)/该时期的总人口×1000‰
考题
单选题默多克(Murdock.D.D)的迁移率计算公式表述为()。A
迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)÷(实验组成绩+控制组成绩)×100B
迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)÷控制组成绩×100C
迁移率(%)=(实验组成绩-控制组成绩)÷实验组成绩×100D
迁移率(%)=(控制组成绩-实验组成绩)÷(实验组成绩+控制组成绩)×100
考题
单选题MOSFET的温度特性体现为:()。A
温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高B
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温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降
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