网友您好, 请在下方输入框内输入要搜索的题目:

题目内容 (请给出正确答案)

光敏电阻吸收了光量子能量,使得载流子迁移率增加,导致电导率增加。


参考答案

更多 “光敏电阻吸收了光量子能量,使得载流子迁移率增加,导致电导率增加。” 相关考题
考题 迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度()

考题 电导率σ=nqμ,其中n是,q是,μ是。()A.载流子的数量,电场强度,载流子的迁移率 B.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移速度 C.载流子的数量,载流子的电荷量,载流子迁移速率 D.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移率

考题 电池片高效率化技术的方法有()A、光封闭技术B、光生载流子收集效率的改善C、光生成载流子复合损失的增加D、直接电阻损失的增加E、电压因子损失的减少

考题 抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()

考题 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()

考题 当射线的能量达到1.02MeV以上时,射线的光量子同原子作用的结果,使得光量子消失,产生一对离子,这就是电子对生成效应。

考题 电导分析法中,采用交流电源,其目的是()A、增加电导率B、消除电极极化C、消除迁移电流D、增加电阻

考题 ()与大气电离率有关,并随纬度增加而增加,这种变化一般从7km以上高度开始。A、大气轻离子迁移率B、大气重离子迁移率C、大气电导率D、大气气溶胶浓度

考题 导体的接触连接处如果温度过高,接触连接表面会强烈氧化,使得接触电阻增加,温度便随着增加,因而可能导致接触处松动或烧熔

考题 半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

考题 Electrical conductivity()A、电导率B、载流子数C、载流子迁移率

考题 酸性氧化物浓度的增加将导致熔渣的电导率下降。

考题 金属的载流子迁移率大,所以经常用金属作为霍尔元件的材料。

考题 当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时,将导致半导体材料()。A、载流子数增加,电阻减小B、载流子数减少,电阻减小C、载流子数增加,电阻增大D、载流子数减少,电阻增大

考题 光敏电阻又称(),几乎都是用()材料制成的,例如:()其特点是电阻率随光照强度的增大而()原因是:无光照射,载流子()导电性()。

考题 在一定波长范围的光照且光辐射能量足够大时,光敏电阻吸收了能量,内部释放出电子,使载流子密度或迁移率增加,从而导致电导率增加,电阻增大。

考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

考题 光敏二极管受光照后,二极管上的().A、电流增加、电阻减少B、电流减少、电阻增加C、电流、电阻都增加D、电流、电阻都减少

考题 多选题电池片高效率化技术的方法有()A光封闭技术B光生载流子收集效率的改善C光生成载流子复合损失的增加D直接电阻损失的增加E电压因子损失的减少

考题 单选题()与大气电离率有关,并随纬度增加而增加,这种变化一般从7km以上高度开始。A 大气轻离子迁移率B 大气重离子迁移率C 大气电导率D 大气气溶胶浓度

考题 判断题在一定波长范围的光照且光辐射能量足够大时,光敏电阻吸收了能量,内部释放出电子,使载流子密度或迁移率增加,从而导致电导率增加,电阻增大。A 对B 错

考题 填空题光照增强的同时,载流子浓度不断的增加,同时光敏电阻的温度也在升高,从而导致载流子运动加剧,因此复合几率也增大,光电流呈()趋势。

考题 单选题Electrical conductivity()A 电导率B 载流子数C 载流子迁移率

考题 单选题半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A 越高B 不确定C 越低D 不变

考题 填空题半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。

考题 单选题MOSFET的温度特性体现为:()。A 温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高B 温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降C 温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高D 温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降

考题 名词解释题载流子迁移率