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问答题
例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些?
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考题
填空题由于O2在SiO2中的扩散率远()于Si 在SiO2中的扩散率,所以氧化反应是由O2穿过SiO2层,在()界面与Si原子反应。相同温度下,湿氧氧化速率()于干氧氧化速率,是因为在SiO2中,H2O比O2有更()的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很(),所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用()法沉积Si3N4薄膜。
考题
单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A
1、2B
2、4C
1、4D
1、2、4E
1、2、3、4
考题
填空题湿法腐蚀Si所用溶液有()、()等,腐蚀SiO2常用的腐蚀剂是(),腐蚀Si3N4常用的腐蚀剂是()。
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