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单选题
化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。 1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。
A
1、2
B
2、4
C
1、4
D
1、2、4
E
1、2、3、4
参考答案
参考解析
解析：
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考题
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对B
错
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