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炼钢过程中,硅与吹入的氧直接氧化反应表达式为()。

  • A、[Si]+2[0]=(SiO2
  • B、[Si]+{O2}=(SiO2
  • C、[Si]+2(FeO)=(SiO2)+2[Fe]

参考答案

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考题 测定Si含量,称量形式是SiO2,其换算系数是多少?

考题 炼钢中,Si+O2=SiO2是吸热反应。此题为判断题(对,错)。

考题 硅的直接氧化反应式为:()和[Si]+2[O]=(SiO2)。

考题 转炉炼钢中,硅的直接氧化反应方程式是:2(FeO)+[Si]=2[Fe]+(SiO2)。此题为判断题(对,错)。

考题 全天生产75%硅铁50吨,消耗95吨硅石(SiO2=98%),硅微粉回收量10吨、SiO2=95%,炉渣量为铁量的3%,炉渣中SiO2=30%,计算Si的回收率。

考题 炼钢中,Si+O2=SiO2是吸热反应。

考题 热生长SiO2 – Si系统中的电荷有哪些?

考题 SiO2还原Si的开始温度为()A、1200~1400℃B、1600~1700℃C、1800~1900℃D、1400~1600℃

考题 炼钢中[Si]+[O2]=(SiO2)是吸热反应。

考题 炉渣中重要的酸性氧化物SiO2,根据其O/Si值不同可以形成多种复杂的硅氧负离子,如SiO52-、Si4O116-等,磷和硅一样由于O/P值的不同形成磷氧负离子。

考题 正确表达石灰加入量的表达式为()。A、2.14[%SiO2]/%CaO有效)×R×1000B、2.14[%Si]/(%CaO石灰-R%SiO2石灰)]×R×1000C、2.14[%Si]/%CaO)×R×1000

考题 随着钢液中硅含量的增加,脱氧产物将按下列顺序而变化:FeO+2FeO·SiO2→FeO·SiO2—FeO·SiO2→SiO2(s)。

考题 炼钢中[Si]+2[O]=(SiO2)是吸热反应。

考题 按照正常的吹炼过程,以下化合物的变化顺序正确的是:()。A、CaO·FeO·SiO2→2CaO·SiO2→2FeO·SiO2B、2FeO·SiO2→CaO·FeO·SiO2→2CaO·SiO2C、2CaO·SiO2→2FeO·SiO2→CaO·FeO·SiO2

考题 渣中FeO和MnO在高温下以耦合反应的方式,将[Si]氧化成(SiO2)。

考题 铁中的Si是从炉渣中SiO2和焦碳灰分中的SiO2还原出来的。

考题 硅的还原量与温度和SiO2的活度成正比;而增大[Si]的活度系数或CO气体的分压,都会使[Si]%下降。

考题 1500℃以上硅的还原顺序为SiO2→SiO→Si,到达风口时[Si]含量达到最大值。

考题 硅的还原顺序是SiO2→SiO→Si。

考题 生铁中的五大元素是指()。A、Fe、FeO、S、C、SiB、C、Si、Mn、S、PC、SiO2、Fe、S、P、C

考题 硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→()→Si逐级进行的。

考题 C和Si都是ⅣA族元素,所以CO2和SiO2都是分子晶体。( )

考题 填空题由于O2在SiO2中的扩散率远()于Si 在SiO2中的扩散率,所以氧化反应是由O2穿过SiO2层,在()界面与Si原子反应。相同温度下,湿氧氧化速率()于干氧氧化速率,是因为在SiO2中,H2O比O2有更()的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很(),所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用()法沉积Si3N4薄膜。

考题 单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A 1、2B 2、4C 1、4D 1、2、4E 1、2、3、4

考题 问答题在实际的SiO2–Si系统中,存在几种电荷?

考题 填空题在SiO2内和Si-SiO2界面存在有()、()、()、()等电荷。

考题 问答题网络外体(如Na2O)加到SiO2熔体中,使氧硅比增加,当O/Si≈2.5~3时,即达到形成玻璃的极限,O/Si3时,则不能形成玻璃,为什么?