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填空题
CMOS工艺中，之所以要将衬底或井接到电源或地上，是因为（）

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考题 目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?
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考题 当零件加工工艺设计完成后，要将确定的内容填入相关的工艺表格或卡片内。
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考题 在计算机关机情况下，由（）来给CMOS供电A、外界电源B、主机电源C、主板电源D、CMOS电池
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考题 在计算机关机情况下，由什么来给CMOS供电（）。A、外界电源B、主机电源C、主板电源D、CMOS电池
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考题 起下钻的速度不宜过快是因为（）和（）容易引起井涌或井漏。
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考题 司钻法或工程师法压井中，当压井液到达压井管柱底部时，停泵关井，此时关井立压降不到零，这是因为（）A、压井排量偏低B、压井液密度偏低C、压井液粘度偏低D、压井泵压偏低
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考题 安装变频器接线时不要将进线电源接到变频器的输出端。
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考题 溶液之所以呈现不同的颜色，是因为溶液中的质点（分子或离子）（）某种颜色的光所引起的。
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考题 对于端点井、（）、高含水井开井后要将油先往指定的污油装置中放喷，以防死油、清水压井或干线冻结。A、低产量井B、低压井C、高产量井D、高压井
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考题 顾客之所以关注价格，是因为价格可以提高或降低人们对服务产品的期望。
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考题 游戏的“松弛说”认为，人之所以游戏并不是因为精力的“剩余”，而是因为“缺乏”或“不足”。
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考题 一台长期不加电的计算机，会使CMOS中的信息丢失，这是因为（）。A、机器老化了B、CMOS电池得不到充电C、开关电源输出不正常D、电解电容被放光
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考题 TTL驱动CMOS时要在输出端口加一上拉电阻接到电源。
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考题 当输出为TTL电平的串行或并行I/O器件与CMOS电路连接时，如果CMOS电路电源大于（）V，则必须在这两种器件之间采用电平转换器。
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考题 阴极保护测试装置可设置在地上或地下，市区可采用地下（）方式。A、测试井B、检查井C、测试D、检查
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考题 一用户在启动电脑时出现“CMOS Checksum Failure”的错误，你认为应该替换下面组件中的哪个（）。A、电源B、CMOS芯片C、主板D、CMOS电池
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考题 在高产井、稠油井、气油比较高的井中，发生顶钻是因为仪器（）。A、未加重B、加重不够C、未加重或加重不够D、下放速度快
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考题 填空题起下钻的速度不宜过快是因为（）和（）容易引起井涌或井漏。
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考题 多选题下列关于保护环说法正确的是（）A保护环的目的是给衬底或井提供均匀的偏置电压。B保护环可以接在VDD或GND上。C保护环可以减少衬底耦合噪声对敏感电路的影响。D保护环无助于Latchup效应的避免。
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考题 填空题在外延工艺中，如果膜和衬底材料（），例如硅衬底上长硅膜，这样的膜生长称为（）；反之，膜和衬底材料不一致的情况，例如硅衬底上长氧化铝，则称为（）。
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考题 单选题下列关于Latch up效应说法不正确的是（）A 衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。B Latch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。C Latch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。D Latch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。
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考题 问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向，通常偏离（100）或（111）等晶向一个小角度，为什么？
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考题 判断题对于N型衬底的单井CMOS工艺，NMOS的衬底应该接到高电位上。A 对B 错
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考题 问答题简述CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺
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考题 多选题下列哪些属于ERC错误的有（）A浮动衬底BP衬底接到GND上CN井接到GND上D电路短路
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考题 问答题在大规模集成电路中，闩锁效应来自于MOS器件有源区PN结与衬底之间寄生的双极性晶体管。请举出3种微电子工艺中利用离子注入或别的手段抑制或消除闩锁效应的方法。
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考题 问答题CMOS工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的？阱有几种类型？每种类型可制作什么类型的场效应管？
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