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单选题
NMOS器件的衬底是()型半导体。
A

N型

B

P型

C

本征型

D

耗尽型


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A、全控型器件B、半控型器件C、不控型器件D、触发型器件

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考题 在数据避雷器中有两种动作类型防雷器件,一种是(),比如压敏电阻,半导体稳压管等;另一种是导通型器件,比如气体管、固体管、雪崩二极管等。A、钳位型器件B、导通型器件C、线性器件

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考题 P型半导体和N型半导体中都有载流子,但就半导体器件本身都是()A、不带电的B、带正点的C、带负电的

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考题 填空题金属-半导体接触分:()三种。当半导体衬底浓度 低于()时,只能产生(),当半导体衬底浓度 高于()时 可实现()。

考题 单选题具有自关断能力的电力半导体器件称为()。A 全控型器件B 半控型器件C 不控型器件D 触发型器件

考题 填空题在P型衬底上画nmos器件时需要在P型衬底上加(),并用金属线把这个()与P型衬底内的()电位相连接。

考题 判断题对于N型衬底的单井CMOS工艺,NMOS的衬底应该接到高电位上。A 对B 错

考题 多选题下列属于电流驱动型功率半导体器件的是()。AGTOBGTRC功率MOSFETDIGBT

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