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填空题
施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。

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考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
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考题 使用能级图时,说法错误的是() A、能级图表示的能级关系是绝对的B、每种元素中，多电子能级之间的能量差不同C、能级图中，每一个表示轨道的圆圈中最多只能容纳自旋方向相反的两个电子D、能级图综合地体现了同一原子中不同电子的屏蔽效应和钻穿效应
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考题 原子光谱是由哪种跃迁产生的A、原子在能级之间B、基态原子在能级之间C、电子在能级之间D、电子在基态原子的能级之间E、电子在激发态原子的能级之间
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 当纳米粒子尺寸下降到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象以及纳米半导体粒子能隙的调制现象，均被称为（）。
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考题 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；A、施主态B、受主态C、电中性
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考题 当电子在两个能级间跳动时，两个能级间的能量差越大，发射出的光线的波长就越长。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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考题 填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
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考题 多选题下列关于原子中电子的能级和跃迁，正确的有（）A原子内层的电子能量较低B电子从高能级跃迁到低能级时会发射光子C电子从高能级跃迁到低能级时会吸收光子D发光的颜色取决于电子跃迁的两个能级间的能量差
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考题 填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。
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考题 单选题原子光谱是由哪种跃迁产生的（）A 原子在能级之间B 基态原子在能级之间C 电子在能级之间D 电子在基态原子的能级之间E 电子在激发态原子的能级之间
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考题 单选题原子核对电子的吸引力称为（　　）。A 结合能B 结合力C 原子能级D 电子能量E 电子能级
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考题 填空题电子占据了一个能带中的所有的状态，称该能带为（）；没有任何电子占据的能带，称为（）；导带以下的第一满带，或者最上面的一个满带称为（）；最下面的一个空带称为（）；两个能带之间，不允许存在的能级宽度，称为（）。
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题表征原子的能量状态的称为（　　）。A 电离能B 原子能级C 结合能D 轨道半径E 激发能
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考题 单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶
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考题 单选题表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（）；A 施主态B 受主态C 电中性
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考题 问答题什么是施主杂质能级？什么是受主杂质能级？它们有何异同？
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 名词解释题半导体施主能级
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
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考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
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考题 单选题晶体中大量原子集合在一起，原来相同的能级分裂为大量的与原来能级很接近的新能级，这些新能级所分布的能量范围称为（）A 能带B 允带C 满带D 禁带
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考题 单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A 导带底能级B 价带顶能级C 费米能级D 施主能级
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