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填空题
由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体，称为（）。

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考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结
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考题 N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）A.满带中 B.导带中 C.禁带中，但接近满带顶 D.禁带中，但接近导带底
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考题 当纳米粒子尺寸下降到某一值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象以及纳米半导体粒子能隙的调制现象，均被称为（）。
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考题 原子的外层电子由低能级激发到高能级时所需要的能量称为（）A、激发电位B、半波电位C、催化电位D、氧化电位
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考题 具有很强导电能力的物体称为（）。A、导体B、绝缘体C、半导体D、导磁体
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考题 半导体按导电类型分为（）型半导体与（）型半导体，（）型半导体靠电子来导电，（）型半导体靠空穴来导电。
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考题 p型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称受主能级），在能带结构中应处于（）。A、满带中B、导带中C、禁带中，但接近满带顶D、禁带中，但接近导带底
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考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子，同时向导带提供电子，使半导体成为电子导电的（）型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子，同时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的（）型半导体。
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考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为（）。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而（）。
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考题 填空题半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。
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考题 填空题施主能级和导带底之间的能量差，称为（）。
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考题 填空题由受主控制材料导电性的半导体称为（）
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题具有很强导电能力的物体称为（）。A 导体B 绝缘体C 半导体D 导磁体
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考题 问答题试按能级生成理论解释半导体气敏陶瓷的导电机理。
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考题 单选题与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）A 比半导体的大B 比半导体的小C 与半导体的相等
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考题 单选题对于N型半导体来说，以下说法正确的是（）A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶
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考题 单选题半导体中施主能级的位置位于（）。A 禁带B 满带C 导带D 价带
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考题 名词解释题半导体施主能级
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考题 问答题简述半导体中浅能级和深能级掺杂对半导体的导电有何影响？
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考题 单选题若某半导体导带中电子出现几率为零，则此半导体必定（）。A 处于绝对零度B 不含任何杂质C 不含任何缺陷D 不含施主
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考题 填空题两种不同金属接触后，  费米能级高的带（）电. 对导电有贡献的是（）的电子.
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考题 单选题半导体中受主能级的位置位于（）中。A 禁带B 价带C 导带D 满带
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考题 单选题对于P型半导体来说，以下说法正确的是（）A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶
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考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带，这一过程称为（）A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收
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考题 问答题以在Ge半导体掺入As为例，简述为什么类氢杂质能级的施主能级位于导带附近？
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考题 单选题电子亲和势，是指电子从（）到真空能级的能级差。A 导带底能级B 价带顶能级C 费米能级D 施主能级
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