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填空题
半导体器件隔离的种类有：（）；（）和（）三种。P-N结隔离适合（）的器件。目前大多数CMOS器件采用（）隔离，绝缘介质场区氧化层采用（）工艺生长。

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考题 电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节,电气隔离一般采用( )隔离。 A.光B.油C.水D.气
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考题 下列说法正确的是()。A.光隔离器是一种只允许单向光通过的无源光器件 B.光隔离器是一种只允许单向光通过的有源光器件 C.光隔离器是一种只允许单一波长的光波通过的无源光器件 D.光隔离器是一种允许不同光信号通过的无源光器件
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考题 目前主要使用的是（）与CMOS两种半导体成像器件。A、CCDB、MOSC、VIDICOMD、PAL
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考题 表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）
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考题 介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是（）层。A、多晶硅B、氮化硅C、二氧化硅
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考题 简述隔离技术的原理及常用的隔离器件。
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考题 使用光电隔离器件时，如何做到器件两侧的电气被彻底隔离？
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考题 普通GSM直放站，上下行之间的隔离靠什么器件？
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考题 使用光电隔离器件要注意哪些问题？
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考题 光隔离器是两端口器件，光环行器是多端口器件。
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考题 下列半年检测1次的项目有（）。A、补偿装置B、非常动隔离开关C、线岔D、分段、器件式分相绝缘器
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考题 合路器和POI各端口间隔离度主要决定因素有：（）A、器件体积B、器件原材料选用C、器件插入损耗D、器件工艺
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考题 在半导体工艺中，与氮化硅比较，二氧化硅更适合应用在（）。A、晶圆顶层的保护层B、多层金属的介质层C、多晶硅与金属之间的绝缘层D、掺杂阻挡层E、晶圆片上器件之间的隔离
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考题 高品质无源器件与普通器件的主要指标差异在（）。A、驻波比和功率容限B、驻波比和隔离度C、互调抑制和功率容限D、隔离度和功率容限
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考题 磁隔离的器件通常是（），当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用（）和（）的方法。
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考题 电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（）隔离。A、光B、油C、水D、气
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考题 在电力电子器件驱动电路的设计中要考虑强弱电隔离的问题，通常主要采取的隔离措施包括：（）和（）。
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考题 开关量输入时都要采用隔离措施，最常用的隔离元器件是光电耦合器。
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考题 能做隔离电器是（）A、隔离开关B、隔离器C、熔断器D、半导体器件
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考题 填空题对于CMOS集成电路，通常器件间的电性绝缘采用介质绝缘的方式，如LOCOS（）或STI（）
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考题 多选题具有信号隔离功能的器件有（）。AIGBT（绝缘栅双极晶体管）B继电器C光电耦合器DMOSFET
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考题 问答题使用光电隔离器件时，如何做到器件两侧的电气被彻底隔离？
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考题 填空题磁隔离的器件通常是（），当脉冲较宽时，为避免铁心饱和，常采用（）和（）的方法。
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考题 单选题目前主要使用的是（）与CMOS两种半导体成像器件。A CCDB MOSC VIDICOMD PAL
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考题 单选题电力电子器件驱动电路是主电路和控制电路的电气隔离环节，电气隔离一般采用（）隔离。A 光B 油C 水D 气
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考题 问答题集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？
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