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单选题
与半导体相比较,绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量()
A

比半导体的大

B

比半导体的小

C

与半导体的相等


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 在低能量价带上聚集着许多电子,而高能量的导带上几乎没有电子,费米能级位于带隙中间。这种半导体称为()。 A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、PN结

考题 非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。 A.禁带B.允带C.导带D.价带

考题 钝化膜具有电子传导性质,介于半导体和绝缘体之间的弱电子导体。()

考题 若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()

考题 半导体材料的能带结构为半满带或空带与价带有重叠。()

考题 下列不是能带的是().A、价带B、电带C、导带D、禁带

考题 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。A、越不容易受B、越容易受C、基本不受

考题 与绝缘体相比较,半导体能带结构的特点是()。A、导带也是空带B、满带与导带重合C、满带中总是有空穴,导带中总是有电子D、禁带宽度较窄

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考题 入射光强改变物质导电率的物理现象,叫光电导效应。为使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应大于禁带宽度Eg,即光的波长应小于某一临界波长λ0。

考题 为了使电子从价带激发到导带,入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。

考题 问答题什么叫能带、价带、导带和禁带?

考题 填空题施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子,同时向导带提供电子,使半导体成为电子导电的()型半导体。受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子,同时向价带提供空穴.使半导体成为空穴导电的()型半导体。

考题 填空题P型半导体是向本征半导体中参入低价元素形成的。P型半导体中的导电粒子为()。本征半导体的费米能级位于导带与禁带的中间。费米能级的位置随电子浓度的增加而()。

考题 填空题半导体的中,()称为费米能级;对本征半导体,费米能级位于(),表示()。费米能级靠近导带,表示(),是()型半导体;费米能级靠近价带,表示(),是()型半导体。

考题 填空题受主获取电子的能量状态,处于禁带中价带顶附近,称为()。

考题 填空题由施主能级激发到导带中去的电子来导电的半导体,称为()。

考题 单选题半导体中施主能级的位置位于()中。A 禁带B 价带C 导带D 满带

考题 单选题半导体()电子吸收光子能量跃迁入(),产生电子—空穴对的现象成为本征吸收。A 价带,导带B 价带,禁带C 禁带,导带D 导带,价带

考题 单选题对于N型半导体来说,以下说法正确的是()A 费米能级靠近导带底B 空穴为多子C 电子为少子D 费米能级靠近靠近于价带顶

考题 问答题什么叫做价带、导带、带隙?

考题 单选题半导体中施主能级的位置位于()。A 禁带B 满带C 导带D 价带

考题 单选题半导体中受主能级的位置位于()中。A 禁带B 价带C 导带D 满带

考题 单选题对于P型半导体来说,以下说法正确的是()A 电子为多子B 空穴为少子C 能带图中施主能级靠近于导带底D 能带图中受主能级靠近于价带顶

考题 单选题本征半导体吸收光子能量使价带中的电子激发到导带,这一过程称为()A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收

考题 单选题掺有杂质的半导体在光照下,中性施主的束缚电子可以吸收光子而跃迁到导带,同样,中性受主的束缚空穴可以吸收光子而跃迁到价带,这种吸收称为()A 本征吸收B 杂质吸收C 激子吸收D 晶格吸收

考题 单选题电子亲和势,是指电子从()到真空能级的能级差。A 导带底能级B 价带顶能级C 费米能级D 施主能级