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单选题
tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。
A

良好绝缘

B

绝缘中存在气隙

C

绝缘受潮


参考答案

参考解析
解析: 暂无解析
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考题 当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。A对B错

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。A对B错

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变。A对B错

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A对B错

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A对B错

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A对B错

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。A对B错

考题 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量。

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试只能反映整体的绝缘状况。

考题 当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。

考题 当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。

考题 M型介质试验器测量出被试品支路的视在功率S和有功损耗功率P,则其介质损耗角正切值tanδ=P/S。

考题 当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。

考题 tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()。A、良好绝缘B、绝缘中存在气隙C、绝缘受潮

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。

考题 对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而基本不变。

考题 当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成()。A、反比B、正比C、U形曲线比例关系

考题 有n个试品的介质损耗因数分别为tanδl、tanδ2、tanδ3、…、tanδn,若将它们并联在一起测得的总tanδ值必为tanδl、…、tanδn中的()。A、最大值B、最小值C、平均值D、某介于最大值与最小值之间的值

考题 按提高运行电压需要来确定补偿容量时应使用()。A、QC=PCOSφB、Qc=P(tanφ1-tanφ3)C、Qc=U2ΔU/XD、C=P(tanφ1-tanφ2)/2πfU3

考题 判断题当试验电压U及电源频率ω一定、被试品的电容值也一定时,介质损耗P与tanδ成反比。A 对B 错

考题 判断题对于良好绝缘的Tan6测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A 对B 错

考题 单选题tanδ测试时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线,则试品属于()A 良好绝缘B 绝缘中存在气隙C 绝缘受潮

考题 单选题于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而()。A 升高B 降低C 基本不变

考题 判断题对于良好绝缘的tanδ测试,在额定电压以下时,随着试验电压U的升高而降低。A 对B 错

考题 判断题当试品绝缘中存在气隙时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈闭合的环状曲线。A 对B 错

考题 判断题当被试品具有较大电容时,tanδ测试不能有效反映试品中可能存在的局部缺陷。A 对B 错

考题 判断题当试品绝缘受潮时,随着试验电压U的变化,tanδ值呈开口环曲线。A 对B 错