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填空题
制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。

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考题 单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较，下面哪些说法是正确的：（）。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长； 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上； 3.CVD SiO2，衬底硅不参加反应； 4.CVD SiO2，温度低。A 1、2B 2、4C 1、4D 1、2、4E 1、2、3、4
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