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在一块极薄的硅或锗基片上通过一定的工艺制作出两个PN结构成了（）层半导体。

  • A、1
  • B、2
  • C、3
  • D、4

参考答案

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考题 三极管3DG6是()三极管。 A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
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考题 型号为2AK二极管是()二极管。 A、锗开关B、锗普通C、硅普通D、硅开关
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考题 在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
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考题 所谓全集成电路就是把三极管、二极管、电阻、电容器等元件同时制在一块硅基片下。
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考题 三极管的型号为3DG6，它是（）三极管。A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
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考题 由于PN结内存在着内电场，因此在PN结两边就有电位差。下列说法正确的是（）。A、在硅材料和锗材料的PN结分别约为0.7V和0.4VB、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.9V和0.2VC、电位降落的方向和内电场方向相反D、硅材料和锗材料的PN结分别约为0.5V和0.2V
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考题 根据三极管结构的不同有NPN和PNP两种，而根据材料的不同分为（）两种。A、硅和磷B、锗和硼C、硅和锗
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考题 型号2AP9是（）二极管。A、锗普通B、硅普通C、锗开关D、硅开关
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考题 晶体三极管的分类错误的是（）。 A、按材质分： 硅管、锗管B、按结构分： NPN 、 PNPC、按功能分： 合金管、平面管D、按结构工艺分：开关管、功率管
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考题 （）二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。A、扩散型B、合金型C、键型D、点接触型
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考题 在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的二极管称为键型二极管
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考题 型号为2AP9的是（）二极管。A、锗普通B、硅普通C、锗开关D、硅开关
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考题 扩散性半导体应变计是将N型咋杂质扩散到高阻的P型硅基片上,形成一层极薄的敏感层制成的
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考题 晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
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考题 按制作三极管的基片材料分，三极管可分为（）两大类。A、硅管和锗管B、硅管和铝管C、锗管和铝管D、铝管和锌管
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考题 集成电路是在一块薄硅上集成了数以千计的（）和别的器件的复杂电路。A、晶体管B、二极管C、电阻D、电容
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考题 半导体二极管按（）划分，可分为锗二极管和硅二极管两种。A、结构B、用途C、基片材料D、尺寸
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考题 锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。A、高B、低C、相等D、不定
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考题 NPN三极管为（）。A、硅三极管B、锗三极管C、可能是硅管或是锗管D、场效应管
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考题 单选题型号为2AP9的是（）二极管。A 锗普通B 硅普通C 锗开关D 硅开关
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考题 单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A 0.4VB 0.5VC 0.6VD 0.7V
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考题 单选题（）二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。A 扩散型B 合金型C 键型D 点接触型
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考题 判断题所谓全集成电路就是把三极管、二极管、电阻、电容器等元件同时制在一块硅基片下。A 对B 错
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考题 填空题薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于（）。在薄基区二极管中，少子浓度的分布近似为（）。
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考题 单选题硅整流交流发电机发出的三相交流电，通过六只（）进行全波整流后，便可输出直流电。A 硅二极管B 硅三极管C 锗二极管D 锗三极管
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考题 填空题所谓集成电路，是指采用（），把一个电路中所需的二极管、（）、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的（）或介质基片上一同制作出来，形成完整电路，然后（）在一个管壳内，成为具有特定电路功能的微型结构。
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考题 判断题在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的二极管称为键型二极管A 对B 错
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