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判断题
曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。
A

B


参考答案

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考题 果实采收后烘焙或开水烫,除去果核,低温干燥的药材是A.山茱萸B.山楂C.薏苡仁D.木瓜E.枳壳

考题 关于咖啡豆烘焙程度对风味的影响,下列说法正确的是()A.烘焙程度越深,口味越好B.烘焙程度越浅,口味越好C.适当的烘焙程度能够较好体现咖啡的风味D.咖啡豆烘焙程度对风味影响不大

考题 X线胶片经曝光、洗片处理,形成影像后简称A.胶片B.照片C.热敏片D.正色片E.色盲片

考题 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。()

考题 下列关于曝光后烘烤的说法正确的是()。A、烘烤的目的是除去光刻胶中的水分B、烘烤可以减轻曝光中的驻波效应C、烘烤的温度一般在300℃左右D、烘烤的时间越长越好

考题 关于烘焙后咖啡豆的保存时间,目前我国通行的说法是()。A、烘焙后包装良好的咖啡豆的保存时间一般是18个月左右B、烘焙后包装良好的咖啡豆的保存时间一般是24个月左右C、烘焙后包装良好的咖啡豆的保存时间一般是36个月左右D、烘焙后包装良好的咖啡豆的保存时间一般是5年以内

考题 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?

考题 在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA

考题 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

考题 ()会造成版纹脱落A、曝光过度B、乳剂涂后烘干温度过高C、未晒前曝光D、冲版不当

考题 果实采收后烘焙或开水烫,除去果核,低温干燥的药材是()A、山茱萸B、山楂C、薏苡仁D、木瓜E、枳壳

考题 小西饼烘焙后颜色没有亮丽的金黄色,而产生暗淡无光彩的土黄色,其原因之一为烘焙温度太低。

考题 关于咖啡豆烘焙程度对风味的影响,下列说法正确的是()A、烘焙程度越深,口味越好B、烘焙程度越浅,口味越好C、适当的烘焙程度能够较好体现咖啡的风味D、咖啡豆烘焙程度对风味影响不大

考题 晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷

考题 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶

考题 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。A、化学增强B、化学减弱C、厚度增加D、厚度减少

考题 问答题简述什么是光刻胶、光刻胶的用途、光刻对光刻胶的要求。

考题 问答题什么是正光刻胶,负光刻胶?

考题 问答题解释曝光后烘烤的目的。PEB(曝光后烘烤)烘烤过度和不足会产生什么问题?

考题 问答题列出并描述I线光刻胶的4种成分。

考题 判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A 对B 错

考题 判断题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。A 对B 错

考题 填空题光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂(),使曝光区在显影后()。

考题 问答题典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少?

考题 单选题果实采收后烘焙或开水烫,除去果核,低温干燥的药材是()A 山茱萸B 山楂C 薏苡仁D 木瓜E 枳壳

考题 单选题X线胶片经曝光、洗片处理,形成影像后简称(  )。A 胶片B 照片C 热敏片D 正色片E 色盲片

考题 多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀