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填空题
使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。

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考题 PN宽度稳定后，（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运行达到动态平衡D、只有少数载流子的漂移运动
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考题 PN结的宽度稳定后（）。A、载流子停止运动B、只有多数载流子的扩散运动C、扩散与漂移运动达到动态平衡
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考题 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
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考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
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考题 PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
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考题 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）。A、多数载流子浓度增大B、少数载流子浓度增大C、多数载流子浓度减小D、少数载流子浓度减小
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考题 在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
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考题 杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
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考题 半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
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考题 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
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考题 本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
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考题 填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
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考题 名词解释题平衡载流子和非平衡载流子
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考题 填空题光照增强的同时，载流子浓度不断的增加，同时光敏电阻的温度也在升高，从而导致载流子运动加剧，因此复合几率也增大，光电流呈（）趋势。
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考题 名词解释题非平衡载流子的产生
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考题 名词解释题非平衡载流子
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考题 问答题什么是非平衡载流子？请简要说明非平衡载流子的主要运动形式。
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考题 名词解释题平衡载流子浓度
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考题 单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A 非平衡载流子浓度成正比；B 平衡载流子浓度成正比；C 非平衡载流子浓度成反比；D 平衡载流子浓度成反比。
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考题 单选题PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B 载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D 载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 单选题掺杂型探测器是由（）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发到非平衡状态的激发态。A 禁带B 分子C 粒子D 能带
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考题 填空题非平衡载流子的寿命ζ，就是反映（）的参数。
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