考题
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。
A、掺杂种类B、掺杂浓度C、温度D、电压
考题
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。
A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
考题
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。
A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
考题
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷
考题
当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（）A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、本征载流子
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
考题
当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A、不一定B、少数载流子C、既有多数载流子，又有少数载流子D、多数载流子
考题
在PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，又有少数载流子D、不一定
考题
掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
考题
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷E、空穴F、自由电子
考题
当氧化型气体吸附到 P 型半导体材料上时，将导致半导体材料（）。A、载流子数增加，电阻减小B、载流子数减少，电阻减小C、载流子数增加，电阻增大D、载流子数减少，电阻增大
考题
PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系
考题
PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
考题
PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的（）和少数载流子的（）
考题
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
考题
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
考题
二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
考题
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
考题
二极管加正向电压时，其正向是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
考题
PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子扩散形成D、少数载流子漂移形成
考题
PN结是（）形成的。A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
考题
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
考题
PN结反向漏电流是由（）产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子
考题
单选题在PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A
多数载流子B
少数载流子C
既有多数载流子，又有少数载流子D
不一定
考题
单选题当PN结两端加正向电压时，那么参加导电的主要是（）。A
不一定B
少数载流子C
既有多数载流子，又有少数载流子D
多数载流子