考题
聚合反应结束后,体系的引发剂()。
A、没有参与反应B、大部分耗掉C、全部耗尽D、小部分耗尽
考题
大量的干粉喷入燃烧区，()就会很快地被消耗尽，链式燃烧反应被终止，从而使火焰熄灭A.H+B.OH-C.H+和OH-
考题
PIN光检测器反向偏压可以取较小的值,因为其耗尽区厚度基本上是由I区的宽度决定的。()
A.正确B.错误
考题
导致马拉松运动员运动性疲劳的主要因素是（ ）A.磷酸原的耗尽
B.pH的下降
C.肌糖原的耗尽
D.蛋白质的耗尽
考题
PIN光检测器反向偏压可以取较小的值，因为其耗尽区厚度基本上是由Ⅰ区的宽度决定的。()
考题
聚合反应结束后，体系的引发剂（）。A、全部耗尽B、大部分耗尽C、没有参与反应
考题
为解决IPv4地址耗尽的问题，针对IPv4可以采用（）和采用（）来推迟IPv4地址耗尽的日期。
考题
太阳能电池片被掺杂了磷的那部分称为（）。A、耗尽区B、N区C、P-N结D、P区
考题
光生电流包括（）。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流
考题
UGS=0时，能够工作在恒流区的场效应管有：（）。A、JFETB、增强型MOSFETC、耗尽型MOSFET
考题
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
考题
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
考题
下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
考题
对马拉松运动来说，导致其运动性疲劳的主要因素是（）。A、磷酸原的耗尽B、PH的下降C、肌糖原的耗尽D、蛋白质的耗尽
考题
驶入高速公路的车辆，要保证充足的燃油，避免在服务区之间耗尽。
考题
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
考题
填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
考题
填空题当集电结反偏增加时，集电结耗尽区宽度会（），使基区宽度（），从而使集电极电流（），这就是基区宽度调变效应（）。
考题
单选题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）A
增大B
减小C
不变D
先增大后减小
考题
单选题对马拉松运动来说，导致其运动性疲劳的主要因素是（）。A
磷酸原的耗尽B
PH的下降C
肌糖原的耗尽D
蛋白质的耗尽
考题
单选题大量的干粉喷入燃烧区，（）就会很快地被消耗尽，链式燃烧反应被终止，从而使火焰熄灭.A
H+B
OH-C
H+和OH-
考题
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
考题
单选题当NMOS器件工作在饱和区时，沟道出于（）状态。A
积累B
耗尽C
导通D
夹断
考题
填空题当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。