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问答题
请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。

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考题 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
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考题 有一个晶体管继电器电路,其晶体管集电极与继电器的吸引线圈相串联,继电器的动作电流为6mA。若晶体管的电流放大系数β=50,要使继电器开始动作,晶体管的基极电流至少应为()。
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考题 描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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考题 晶体管电流放大作用的实质是什么？为什么晶体管具有电流放大作用？
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考题 场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
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考题 场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入（）。
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号（即驱动信号）为（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应管为电压控制
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为（）。A、电压B、电流C、双极型为电压、场效应为电流D、双极型为电流、场效应为电压
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考题 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。
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考题 MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。
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考题 场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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考题 采用了（）门电路后，其比PMOS和NMOS门电路的功耗更低，速度更快。
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考题 下列场效应管中，无原始导电沟道的为（）。A、N沟道JFETB、增强~AIPMOS管C、耗尽型NMOS管D、耗尽型PMOS管
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考题 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号（）。A、均为电压控制B、均为电流控制C、双极型晶体管为电压控制，场效应晶体管为电流控制D、双极型晶体管为电流控制，场效应晶体管为电压控制
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考题 场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 单选题绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道增强型效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B 增强型绝缘栅场效应晶体管和耗尽型绝缘栅场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道绝缘栅型场效应晶体管
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考题 单选题结型场效应晶体管根据结构不同分为（）A P沟道结型场效应晶体管和N沟道结型场效应晶体管B P沟道结型场效应晶体管和N沟道增强型场效应晶体管C N沟道结型场效应晶体管和P沟道增强型场效应晶体管D N沟道结型场效应晶体管和P沟道型绝缘栅场效应晶体管
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考题 判断题PMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错
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考题 填空题PMOS是在（）上形成P型沟道的MOSFET晶体管。
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考题 问答题对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
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