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开启电压（VT）

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考题 电压表的示值Vi为30V,而电压实际值Vt为30.5V,则电压表的示值误差等于( ).A、0.5VB、-0.5VC、0.25VD、-0.25V
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考题 ()是引起ALI的独立危险因素。 A、大Vt和高气道压B、小Vt和高气道压C、大Vt和低气道压D、小Vt和低气道压
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考题 在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。
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考题 设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（　　）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
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考题 差分放大电路如图所示，若晶体管VT1、VT2的参数对称，β均为50，rbe均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数Aud约为（　　）。 A．50 B．-1 C．1.3 D．-11
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考题 Intel在其自身CPU上应用的硬件辅助虚拟化技术称为（）A、VT-aB、VT-yC、VT-xD、VT-z
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考题 前置器需要在它的VT端和COM端之间提供（）直流电压。A、－12VB、－24VC、+12VD、+24V
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考题 NMOS场效应管在栅极电压大于开启电压时才能（）。
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考题 判断题全桥式功率变换电路中当一组高压开关管（VT1，VT4）导通时，截止品体管（VT2，VT3）上施加的电压即为输入电压E，当所有晶体管均截止时，同臂上的两个高压开关管将共同承受输入电压（即E/2）。A 对B 错
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考题 填空题MOS场效应晶体管的开启电压指的是：（）。所以，NMOS管的开启电压为（），PMOS管的开启电压为（）。
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考题 单选题三相桥式全控整流电路对触发脉冲的要求，按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的顺序，相位依次差（）度。A 0B 60C 90D 180
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考题 名词解释题开启电压VT
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考题 填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
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考题 问答题阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系？采取什么方式或手段以调整VT大小？影响VT的其它因素有哪些？
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