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TTL与非门电压传输特性曲线可分为()、()、()及饱和区四个区域。


参考答案

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考题 晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、()和饱和区三个区域。

考题 要使TTL与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻RI()。 A.ROFFB.>RONC.>ROFFD.

考题 电压比较器的集成运放工作在电压传输特性的线性区。()

考题 电压比较器中的集成运放是工作在电压传输特性曲线中的线性区。()

考题 要使TTL与非门工作在转折区,可使输入端对地外接电阻RI(). A. >RONB.C. ROFFD. >ROFF

考题 通常晶体管的输出特性曲线区分为( )区。A.非饱和区 B.饱和区 C.截止区 D.放大区 E.线性区

考题 三极管的输出特性曲线可分为三个区()。A、饱和区B、截止区C、放大区D、工作区

考题 三极管有输入、输出两个特性曲线,而在输出曲线中分为放大区、饱和区和()。A、工作区B、导通区C、调整区D、截止区

考题 要用与非门电路实现对小信号的放大作用,该与非门应工作在电压传输特性曲线区域是()。A、截止区B、线性区C、饱和区D、转折区

考题 MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和()

考题 在输出特性曲线上,满足IC=HFEIB关系的区域是:().A、放大区B、截止区C、饱和区D、击穿区

考题 结型场效应管的输出特性曲线可分为()。A、可变电阻区和饱和区B、可变电阻区和击穿区C、饱和区和击穿区D、可变电阻区、饱和区和击穿区

考题 TTL与非门电压传输特性曲线可分为()、()、()及()四个区域。

考题 根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线族可划分为()、饱和区、截止区和击穿区。

考题 晶体三极管的输出特性曲线分为四个区,请问哪个区具有基区宽度调制效应()A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区

考题 在FET的输出特性曲线中,饱和区相当于BJT输出特性曲线的()区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的()区。

考题 结型场效应管的输出特性曲线可分为()几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区

考题 TTL与非门电压传输特性曲线分为()区、()区、()区、()区。

考题 TTL门电路的电压传输特性曲线上可以反映出数字电路的哪些主要技术参数?

考题 利用TTL与非门实现输出线与应采用()门,实现总线传输应采用()门。

考题 TTL与非门电压传输特性曲线分为()A、饱和区B、转折区C、线性区D、截止区

考题 场效应管用作α信号放大时,其静态工作点应设置在输出特性曲线的()A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区

考题 下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。A、TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。B、TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。C、TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。D、TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

考题 三极管的输出特性曲线可分成三个区域即()。A、放大区、饱和区、截止区B、放大区、饱和区、短路区C、放大区、导通区、截止区D、放大区、饱和区、断路区

考题 填空题MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和()

考题 多选题TTL与非门电压传输特性曲线分为()A饱和区B转折区C线性区D截止区

考题 多选题根据三极管输出特性,曲线可分为()区域。A放大区B截止区C饱和区D容抗