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题目内容
(请给出正确答案)
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()
- A、突触前轴突末梢超极化
- B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大
- C、突触后膜去极化
- D、突触后膜电位负值增大,出现超极化
- E、突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大
参考答案
更多 “关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大,出现超极化E、突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大” 相关考题
考题
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB
下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质C.是局部超极化电位D.由突触前膜递质释放量减少所致E.由突触后膜对钠通透性增加所致
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述,错误的是( )。A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
考题
单选题关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是()A
突触前轴突末梢超极化B
突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C
突触后膜去极化D
突触后膜电位负值增大,出现超极化E
突触后膜对K+、Na+,尤其是K+的通透性增大
考题
单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是( )。A
棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B
棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C
棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D
棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E
棘波、慢波是由突触前电位构成
考题
问答题试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。
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