考题
有一个二极管的标号为ZCP18,其中“C”表示()。
A.P型锗材料B.N型锗材料C.P型硅材料D.N型硅材料
考题
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
考题
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
考题
点接触型二极管一般为（）二极管，主要用于（）、高频检波等场合。A.硅：小电流
B.锗；小电流
C.硅；较大电流
D.锗；较大电流
考题
面接触型二极管可以承受（），常用于整流电路，工作频率较低，不能用于高频电路中。面接触型二极管一般为（）二极管。A.小电流；硅
B.小电流；锗
C.较大电流；硅
D.较大电流；锗
考题
一只二极管的型号为2CW21D，其中C的含义是（）。A、N型，硅材料B、N型，锗材料C、P型，硅材料D、P型，锗材料
考题
2CW10表示（）A、N型硅材料稳压二极管；B、P型硅材料稳压二极管；C、N型锗材料稳压二极管；D、P型锗材料稳压二极管
考题
二极管2CP的意义是（）。A、N型硅材料普通管B、P型硅材料稳压管C、N型锗材料普通管D、P型锗材料稳压管
考题
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
考题
2AP9表示（）A、N型锗材料稳压二极管；B、P型锗材料整流二极管；C、N型锗材料普通二极管；D、P型硅材料变容二极管
考题
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的二极管称为键型二极管
考题
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
考题
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
考题
在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
考题
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
考题
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A
0.4VB
0.5VC
0.6VD
0.7V
考题
单选题有一个二极管的标号为ZCP18，其中“C”表示（）。A
P型锗材料B
N型锗材料C
P型硅材料D
N型硅材料
考题
单选题有一个二极管的标号为：2CP18，其中“C”表示（）。A
P型锗材料B
N型锗材料C
P型硅材料D
N型硅材料
考题
单选题（）二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。A
扩散型B
合金型C
键型D
点接触型
考题
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
考题
单选题晶体二极管2AP9的材料和极性是（）A
P型，锗材料B
N型，锗材料C
N型，硅材料D
P型，硅材料
考题
判断题在锗或硅的单晶片上熔接金或银的细丝而形成的二极管称为键型二极管A
对B
错