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多选题
沉淀被沾污的原因有（）
A

表面吸附

B

混晶

C

包藏

D

后沉淀

参考答案

参考解析
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更多 “多选题沉淀被沾污的原因有（）A表面吸附B混晶C包藏D后沉淀” 相关考题
考题 在沉淀形成过程中,待测离子的半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成() A、吸留B、混晶C、包藏D、后沉淀
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考题 用洗涤方法可除去的沉淀杂质是() A、混晶及沉淀杂质B、包藏及沉淀杂质C、吸附及沉淀杂质D、后沉淀杂质
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考题 沉淀重量法在进行沉淀反应时，某些可溶性杂质同时沉淀下来的现象叫（）现象，其产生原因除表面吸附、生成混晶外还有（）和（）。
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考题 如果被吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，就可能形成（）。A、表面吸附B、机械吸留C、包藏D、混晶
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考题 杂质离子被包藏在晶体内部的现象称为（）。A、混晶B、吸留C、混杂D、吸附
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考题 共沉淀现象可能是由（）等原因产生的。A、表面吸附B、生成混晶C、放置时间长D、吸留E、包藏
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考题 下列叙述哪些是错误的？（）A、沉淀反应后立即过滤可防止后沉淀B、沉淀的表面吸附作用是由于表面离子的力场未饱和所致C、进行陈化操作可减少混晶共沉淀D、AnS在HgS沉淀表面上而不在BaSO4沉淀表面上后沉淀
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考题 造成后沉淀的原因，说法错误的是（）。A、由于沉淀表面吸附了构晶离子B、由于沉淀表面吸附的构晶离子再吸附溶液中带相反电荷的杂质离子C、由于沉淀陈化的时间不够长D、由于在沉淀表面附近形成了过饱和溶液
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考题 重量分析中，当杂质在沉淀过程中以混晶形式进人沉淀时，其原因是由于（）。A、沉淀表面电荷不平衡B、表面吸附C、沉淀速度过快D、离子结构类似
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考题 形成共沉淀现象的原因有（）。A、表面吸咐B、生成混晶C、吸留D、陈化E、包藏
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考题 下列有关洗涤沉淀的叙述，错误的是（）。A、洗涤目的是洗去沉淀表面吸附的杂质B、洗涤目的是洗去沉淀的吸留或混晶的杂质C、洗涤的次数愈多，洗涤效果愈好，但沉淀损失也愈多D、洗涤溶液用量愈多，洗涤效果愈好。
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考题 用洗涤的方法能有效地提高沉淀纯度的是（）。A、混晶共沉淀B、吸附共沉淀C、包藏共沉淀D、后沉淀
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考题 共沉淀现象是由于沉淀的（）作用，混晶或固溶体的形成，吸留和包藏等原因引起的。
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考题 在重量分析中，下面说法（）是错误的。A、杂质浓度越大，则吸附杂质的量越多B、同质量的沉淀，颗粒越大，则总表面越大，吸附杂质的量越多C、溶液温度升高，吸附杂质的量减少D、沉淀剂加入过快时，沉淀迅速长大，易使得杂质离子被包藏在沉淀内部
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考题 下列有关沉淀纯净叙述错误的是（）。A、洗涤可减免吸留的杂质B、洗涤可减少吸附的杂质C、易生成混晶的杂质应事先分离除去D、沉淀完成后立即过滤可防止后沉淀
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考题 沉淀被沾污的原因有（）A、表面吸附B、混晶C、包藏D、后沉淀
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考题 重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A、构晶离子B、高价离子C、极化程度大的离子D、浓度大的离子
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考题 Ra2+与Ba2+的离子结构相似，因此可以利用BaSO4沉淀从溶液中富集微量Ra2+，这种富集方式是利用了（）A、混晶共沉淀B、包夹共沉淀C、表面吸附共沉淀D、固体萃取共沉淀
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考题 如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A、后沉淀B、机械吸留C、包藏D、混晶
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考题 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A、表面吸附B、混晶C、机械吸留D、后沉淀
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考题 在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、混晶B、吸留C、包藏D、后沉淀
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考题 在下列叙述中，正确的是（）A、在重量分析中，需高温灼烧才能得到称量形式的沉淀，应选玻璃砂芯坩埚或玻璃砂芯漏斗作为滤器B、同一种沉淀，小颗粒溶解度大C、重量分析，要求在溶液中沉淀溶解损失的量小于0.5mgD、引起后沉淀的原因是表面吸附、吸留、形成混晶
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考题 重量分析中，若待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A、表面吸附B、吸留与包藏C、混晶D、后沉淀
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考题 单选题在重量分析中，待测物质中含的杂质与待测物的离子半径相近，在沉淀过程中往往形成（）A 混晶B 吸留C 包藏D 后沉淀
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考题 单选题重量分析中，沉淀表面吸附杂质而引起沉淀沾污，沉淀表面最优先吸附的离子是（）A 构晶离子B 高价离子C 极化程度大的离子D 浓度大的离子
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考题 单选题如果吸附的杂质和沉淀具有相同的晶格，这就形成（）A 后沉淀B 机械吸留C 包藏D 混晶
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考题 单选题如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）A 表面吸附B 混晶C 机械吸留D 后沉淀
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