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判断题
在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。
A

对

B

错

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考题 在QSl西林电桥的测量操作中，若分流器挡位设置电流值大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限制，电桥才能趋向平衡。( )
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考题 用QSl型西林电桥进行实际测量时，消除磁场干扰的办法有：将电桥移到磁场干扰以外;在检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的试品tgδ值和电容值，然后再求取两次的平均值，以消除磁场干扰的影响。( )
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考题 194、测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）。（A）西林电桥（QS1电桥）；（B）惠斯顿电桥测量；（C）凯尔文电桥测量。
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考题 测量大变压器的直流电阻，因阻值较小，应该使用（）A西林电桥（QS1电桥）B惠斯顿电桥测量C凯尔文电桥测量
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考题 计算题：用QS1电桥测量110KV套管介损tg时，试验电压为10KV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算CX之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。
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考题 QS1型西林电桥正接线时电桥桥臂都处于高电位。
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考题 使用QS1型交流电桥测量tanØ时，现场采用排除磁场干扰的方法有以下几种（）A、把电桥移到磁场以外去测量B、使检流计极性转换开关处于两种不同位置时，调节电桥平衡，求得每次平衡时的tanØ值和电容值，取两次的平均值为tanØ值C、提高试验电压D、在被试设备上加装屏蔽罩
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考题 西林电桥采用正接线时，电桥处于低电压，操作比较安全，电桥内部不受（）影响，但被试品对地必须绝缘。A、大电流B、高电压C、强电场D、磁场
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考题 QS1型交流电桥是采用“平衡比较”原理，当被试设备接入测试电路后，调整输入和输出桥臂的电压、电流乃至阻抗达到平衡，使电桥中检流计G的电流Ig=0。这时，可调电容C4的值就等于被试设备的介质损耗正切值。
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考题 在QS1型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥的调节值需趋向最高值，电桥R3才能趋向平衡。
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考题 为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用正接线好？
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考题 在现场使用QS1交流电桥时，根据试品的大约电容量估算R3的值，若R3的值偏大很多时，电桥趋于平衡，则故障的原因可能是连接Cx的引线断线。
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考题 西林电桥是一种直流电桥，可以测量材料和设备的电容值和介质损耗角的正切值。
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考题 测量绝缘介损的仪器按原理可以分为（）。A、西林电桥B、电流比较型电桥C、M型电桥D、直流电流电压法电桥
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考题 使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为15000pF，加压10kV，电桥分流器的位置选择哪一档为宜（）。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
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考题 用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？
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考题 用QS1电桥测量110kV套管介损tgδ值时，试验电压为10kV，标准电容CN为50pF；电桥平衡时，R3=345Ω，试计算Cx之值。（R4为定值3184Ω）
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考题 使用QS1交流电桥测量试品的电容量约为1500PF、加压10kV，电桥分流器的位置选择（）档为宜。A、0.01B、0.025C、0.06D、0.15
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考题 在QSI型西林电桥测量操作中，若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值，则电桥R3的调节值需趋向最高限值，电桥才能趋抽平衡。
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考题 QS1型交流电桥测量介质损耗正切值是一项低压作业，加压时间短，操作比较简单。
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考题 问答题用QS1电桥测量110千伏套管介损tgδ值时，试验电压为10千伏，标准电容CN为50皮法，电桥平衡时，R3为345欧，计算Cx之值（R4为定值3184欧）。
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考题 单选题试品电容量约为15000pF，当用10kVQS1型西林电桥测量其tgδ及C时，电桥分流器档位宜设置在（）档A 0.01B 0.025C 0.06D 0.15
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考题 问答题一台变压器，用QS1交流电桥测量高压绕组对其他绕组及地的介质损耗tgδ和Cx时，已知试验电压为10KV，标准电容CN为50皮法，分流器在0.06档，电桥平衡时，R3为64欧，e为0.4欧，tgδ为0.8%，试计算Cx之值（R4为3184欧）。
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考题 单选题试品电容量约15000pF，使用QS1型西林电桥，施加10kV测量其tgδ时，电桥分流器位置宜选定在（）档位置A 0.01B 0.025C 0.06D 0.15
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